據臺媒《經濟日報》報道，晶圓代工廠臺積電2nm制程將于2025年量產，市場看好進度可望領先對手三星及英特爾。

臺積電先進制程進展順利，搭配FINFLEX架構的3nm將在今年下半年量產，升級版3nm（N3E）制程將于3nm量產一年后量產，即2023年量產。先進封裝部分，首座全自動化3DFabric晶圓廠預計于2022年下半年開始生產。

雖然在3nm世代略有保守，但無論如何，FinFET寬度都已經接近實際極限，再向下就會遇到瓶頸。所以外資法人預估臺積電2nm先進制程將采用環繞式閘極場效電晶體GAAFET高端架構生產2nm芯片。

臺積電2nm廠將落地竹科寶山二期擴建計劃，“竹科管理局”已展開公共設施建設，臺積電2nm廠也開始進行整地作業。

臺積電2nm首次采用納米片架構，相較N3E制程，在相同功耗下頻率可提升10%至15%。在相同頻率下，功耗降低25%至30%。臺積電總裁魏哲家日前在技術論壇中強調，臺積電2nm將會是密度最優、效能最好的技術。

此前消息稱，將在2024年取得ASML下世代極紫外光微影設備（high-NA EUV），為客戶發展相關的基礎設施與架構解決方案。臺積電業務開發資深副總經理張曉強則表示，2024年取得設備后，初期主要用于與合作伙伴共同研究，尚不會量產。