簡介

FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲器的優勢。擅于進行高速寫入、具有長的耐久力和低功耗。富士通半導體提供了采用串行（I²C和SPI）和并行外設的FRAM產品，目前4Kb至4Mb的產品也已量產。 

富士通正在為客戶評估提供工程研發樣品或生產樣品。請確認我們的 FRAM產品陣列 ，如果您想獲得樣品 ，請填寫“FRAM樣品/文檔申請咨詢表”申請樣品和/或文件。

FRAM的優勢

與SRAM相比

獨立的FRAM存儲器，因為具有Pseudo-SRAM I/F，因此與SRAM之間具有的高度兼容性。利用FRAM取代SRAM，您可以獲得的優勢如下：

1. 總的成要縮減

采用SRAM，你需要檢測其電池狀態。但是FRAM卻讓你免去了進行電池檢測的困擾。而且，FRAM不需要電池槽、防倒流二極管和更多的空間，而這些都是SRAM所需的。FRAM的單芯片解決方案可以節省空間和成本。

●   維護自由；無需更換電池

●   縮小的器件尺寸；可以省去大量的器件

2.環保型產品（減少了環境負擔）

用過的電池成為工業廢料。在生產過程中，與SRAM相比，FRAM能夠降低一半的CO2排放量。FRAM對于環保有益。

●   無廢棄電池

●   降低工業負荷，實現環保

與E2PROM/閃存相比

與傳統的非易失性存儲器，如E2PROM和閃存相比，FRAM具有更快的寫入、更高耐久力和更低功耗等優勢。用FRAM取代E²PROM和閃存還具有更多優勢，具體如下：

1. 性能提升

FRAM的高速寫入能夠在電源中斷的瞬間備份數據。不僅如此，與E2PROM和閃存相比，FRAM能夠更頻繁的記錄數據。當寫入數據時，E2PROM和閃存需要高壓，因此，消費的功率比FRAM更多。如果嵌入FRAM，那么電池供電器件中的電池的壽命將更長。 

總之，FRAM具有下列優勢：

●   能夠在電源中斷的瞬間備份數據

●   能夠進行頻繁的數據記錄

●   能夠保證更長的電池壽命

2. 總的成本縮減

在為每個產品寫入出廠參數時，與E2PROM 和閃存相比，FRAM可以縮減寫入時間。而且，FRAM可以為您提供一種芯片解決方案，避免采用幾個存儲器來保存數據，而E2PROM卻不能實現。因此，利用FRAM可以降低總成本！

●   當寫入出廠參數時，縮短了寫入時間

●   減掉了產品上很多的部件

產品列表

串行閃存

I²C接口

與世界標準，I²C BUS完全兼容。利用兩個端口，幾個時鐘（SCL）和串行數據（SDA）控制每個函數。