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助力“新基建”提速 第三代半導體產業需“錯位發展”防泡沫

作者: 時間:2020-04-22 來源: 收藏

“新基礎設施”是最近的熱門詞匯之一。國家發展和改革委員會最近首次明確了新基礎設施——的范圍。新基礎設施是以新的發展理念為指導、以技術創新為動力、以信息網絡為基礎、面向高質量發展需求的基礎設施系統,提供數字轉換、智能升級和集成創新等服務。

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/202004/412256.htm

“在以5G、物聯網、工業互聯網等為代表的‘新基礎設施’主要領域進行自主創新、開發、改造和升級的關鍵核心材料和電子元件。

沈波解釋說,與仍然是功率領域主流的傳統硅基器件相比,第三代功率電子器件可以進一步提高電子電氣設備的效率、小型化和智能化。例如,基于碳化硅的抗高電壓、大電流和低損耗的電力電子器件和模塊可大規模應用于智能電網、高速軌道交通、新能源汽車等領域。高效率、小體積、終端設備電源、手機和筆記本電腦電源適配器、無線快速充電電源等領域具有巨大的技術優勢和市場空間。

其中,第三代射頻電子器件已經在民用和軍用領域得到了大規模應用。尤其是氮化鎵射頻電子器件和模塊,由于其高頻、高功率、大帶寬的性能優勢,在5G移動通信基站建設中發揮著不可替代的作用。中國5G建設的加速將引發氮化鎵射頻電子器件需求的快速增長。

放眼全球,2019年全球半導體行業將處于低迷狀態,但第三代半導體的技術、產品、市場和投資都呈現出較高的增長趨勢。領先企業通過調整業務領域、擴大產能供應、整合并購,加強了在第三代半導體的分銷,增強了競爭力。相比之下,中國的第三代半導體功率電子和射頻電子產業還處于起步階段,已經初步形成了從材料、器件到應用的完整產業鏈。然而,總體技術水平仍落后于世界最高水平3-5年。迫切需要突破材料、器件、包裝和應用環節的核心關鍵技術,以及可靠性和一致性等工程應用問題。

“新基礎設施”的加速為中國第三代半導體產業的發展提供了寶貴的機遇。國內市場對第三代半導體材料和器件的需求迅速增長。終端應用企業也在調整供應鏈以支持國內企業。產業鏈中上游和中游以前難以進入供應鏈的產品將獲得下游用戶認證機會,并進入幾個主要制造商的供應鏈?!钡谌雽w產業技術發展戰略聯盟秘書長俞昆山表示。

最近發布的《第三代半導體產業技術發展報告(2019年)》預測,2024年中國第三代半導體功率電子器件的應用市場將達到200億元,未來五年復合增長率將超過40%。

面對難得的機遇,俞昆山建議中國第三代半導體產業應該更加腳踏實地,穩步前進。“過去幾年,政策資源嚴重傾斜,第三代半導體在許多地方被列為重點支持產業,并采取了許多措施吸引項目,這也導致了一些低水平的重復建設。有鑒于此,各地在大力支持產業發展的同時,也要注意協調發展和錯位發展,做好項目篩選工作,結合本地產業、人才和資源優勢,考慮財力和政策成本收益率,因地制宜?!?/p>

此外,第三代半導體產業在過去兩年的快速市場增長主要是由于國家大力推進半導體產業的獨立性,以及碳化硅和氮化鎵器件在新能源汽車、5G、數據中心等領域的新應用所獲得的資本進入。然而,當前的經濟低迷導致了消費電子產品、汽車甚至工業電機等各種產品的市場下滑,出口受阻,下游需求萎縮?!靶袠I應該努力提高產品性能和競爭力。深入挖掘創新應用,在擴大增量市場的同時擴大現有市場的滲透率,促進第三代半導體產業健康可持續發展。同時,我們也要面對“抓住機遇,提前投資,但市場啟動不及預期”的矛盾,把握產業發展的節奏。余昆山強調道。




關鍵詞: 新基建 半導體

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