以太網在航天器中的應用越來越廣泛，它可以提高硬連線系統間的通信速度和數據傳輸速率，為衛星和其他航天器之間實現互操作性創造了條件。鑒于以太網在太空領域的應用日趨廣泛，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日發布了業界首款宇航級耐輻射以太網收發器。新推出的產品以其他行業廣泛采用的商用現貨（COTS）解決方案為基礎，可為運載火箭、衛星組網和太空站等應用提供可靠性能。

新發布的VSC8541RT耐輻射以太網收發器正處于樣片階段。此外，Microchip的新型SAM3X8ERT耐輻射單片機（采用最新的Arm^? Cortex^?-M3核處理器和嵌入式以太網控制器）已通過最終認證。兩款產品可單獨或共同使用，以滿足太空領域對耐輻射器件的需求。

兩款產品均以COTS為基礎，按照高度可靠的質量流程打造，具有更高的耐輻射性能，有塑料和陶瓷兩種封裝規格。COTS產品和同等宇航級產品采用相同的引腳分配模式，這樣設計人員可以采用COTS器件進行設計，并在隨后遷移至宇航級元件，從而大幅縮短開發時間，降低開發成本。

Microchip航空航天和國防業務部助理副總裁Bob Vampola表示：“作為第一家為快速增長的高可靠性以太網市場提供耐輻射收發器和增強型耐輻射單片機的公司，Microchip將繼續利用優質可靠的解決方案助力太空業的發展和革新。Microchip基于COTS的宇航級處理器件的性能和規格，完全能夠滿足近地軌道衛星星座、深空探測任務等領域不斷變化的需求。”

Microchip提供各類基于COTS、為以太網連接提供支持的耐輻射微電子器件，新推出的最新器件是其中一部分，它們廣泛應用于衛星平臺、數據載荷、傳感器總線控制、遠程終端通信、航天器網絡、空間站模塊連接等領域。

VSC8541RT收發器是單端口千兆位以太網銅物理層器件，設有GMII、RGMII、MII和RMII接口。它的耐輻射性能已經過驗證，并在報告中有詳細記錄。VSC8541RT的閉鎖抗擾度高達78 Mev，可耐受100 Krad的總電離劑量效應值（TID）。VSC8540RT收發器的位傳輸速率為100 MBps，相對有限，但采用與VSC8541RT同樣的耐輻射管芯和封裝，而且也有塑料和陶瓷兩種封裝規格，因而客戶可根據目標應用的需求選擇性價比最合適的產品。

SAM3X8ERT耐輻射單片機部署在系統級芯片（SoC）上，采用應用廣泛的Arm^? Cortex^?-M3核處理器，與該處理器的工業版本生態系統一樣，能提供100 DMIPS的處理能力。SAM3X8ERT迎合了太空業系統整合的趨勢，使得更先進的技術可以應用于太空領域。除以太網功能之外，SAM3X8ERT還包含512 KB雙分區閃存、100 KB SRAM、ADC、DAC和雙CAN控制器。

這些最新器件豐富了Microchip的耐輻射和抗輻射硬件處理解決方案產品線，并可使用與SAMV71Q21RT Arm? M7系列單片機（處理能力最高為600 DMIPS）和ATmegaS128/64M1系列8位單片機相同的開發工具。

開發工具

對于SAM3X8ERT，開發人員可采用Arduino Due商用工具包進行開發；對于VSC8541RT，則可以采用VSC8541EV評估工具包，從而推動設計進程、加快產品上市。SAM3X8ERT器件由Atmel Studio集成開發環境提供支持，用于開發、調試并提供軟件庫。

產品供貨

塑料或陶瓷封裝的VSC8541RT器件目前正處于樣片階段。SAM3X8ERT合規器件目前已實現量產。SAM3X8ERT和VSC8541RT在原型開發階段均采用陶瓷封裝，目前采用宇航級陶瓷和高可靠性塑料進行封裝。SAM3X8ERT采用QFP144封裝，VSC854xRT采用CQFP68封裝。

注：Microchip的名稱和徽標組合、Microchip徽標以及MPLAB均為Microchip Technology Incorporated在美國和其他國家或地區的注冊商標。在此提及的所有其他商標均為各持有公司所有。