臺積電宣布5nm基本完工開始試產:面積縮小45%、性能提升15%
臺積電(TSMC)宣布,率先完成5nm的架構設計,基于EUV極紫外微影(光刻)技術,且已經進入試產階段。
本文引用地址:http://www.j9360.com/article/201904/399254.htm根據官方數據,相較于7nm(第一代DUV),基于Cortex A72核心的全新5nm芯片能夠提供1.8倍的邏輯密度、速度增快15%。同樣制程的SRAM也十分優(yōu)異且面積縮減。
臺積電同時宣布提供完整的5nm設計規(guī)則手冊、SPICE模型、制程設計套件以及通過硅晶圓驗證的基材,并且全面支持EDA(電子自動化設計工具)。
今年初,臺積電曾表示,5nm將于2020年底之前量產,考慮到還有1年半的時間,完全可以期待。
據悉,此次的第一代5nm是臺積電第二次引入EUV技術,多達14層;而第二代7nm(預計今年蘋果A13、麒麟985/990要用)的EUV,只有4層規(guī)模。
隨著格芯(GF)、聯(lián)電的退出,目前能夠做7nm以及更先進工藝晶圓的廠商就只剩下了三星、臺積電和Intel,但Intel實際上并不和臺積電直接競爭,因為其晶圓廠甚至連滿足自家需求都還捉急,只是保不齊對手AMD會重金下單。
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