我國彎道超車的機會來了?

　　雖然我國寬禁帶功率半導體創新發展的時機已經逐步成熟，處于重要窗口期。然而目前行業面臨的困難仍然很多，一個產業的發展與兩個方面有關：一個是技術層面，另一個重要問題就是產業的生態環境。

　　目前國內產業的創新鏈并沒有打通，整體創新環境較差。從事寬禁帶半導體研發的研究機構、企業單體規模小，資金投入有限，研發創新速度慢，成果轉化困難。

　　然而在寬禁半導體材料方面卻有比較樂觀的一面，中鎵半導體目前已建成國內首家專業的GaN襯底材料生產線，制造出厚度達1100微米的自支撐GaN襯底，并能夠穩定生產。2018年2月初，中鎵半導體氮化鎵襯底量產技術獲得重大突破，實現國內首創4英寸GaN自支撐襯底的試量產。

　　天域半導體是我國首家專業從事第三代半導體碳化硅外延片研發、生產和銷售的高新技術企業。據悉，早在2010年，該公司就與中國科學院半導體所合作成立了“碳化硅技術研究院”。目前，天域半導體可提供6英寸SiC晶圓，以及各種單極、雙極型SiC功率器件。

　　風華高科是一家專業從事新型元器件、電子材料、電子專用設備等電子信息基礎產品的高科技上市公司。

　　第三代寬禁帶半導體材料，可以被廣泛應用在各個領域，且具備眾多的優良性能，可突破第一、二代半導體材料的發展瓶頸，故被市場看好的同時，隨著技術的發展有望全面取代第一、二代半導體材料。目前，美國、日本、歐洲在第三代半導體SiC、GaN、AlN等技術上擁有絕對的話語權。相比美、日，我國在第三半導體材料上的起步較晚，水平較低，但由于第三代半導體還有很大的發展空間，各國都處于發力階段，因此被視作一次彎道超車的機會。

　　總結

　　我國展開SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比較晚，與國外相比水平比較低。但是隨著國家戰略層面支持力度的加大，且具有迫切的市場需求，因此我國將有望集中優勢力量一舉實現技術突破!

　　路漫漫其修遠兮，吾將上下而求索?；蛟S是概括這一行業的最好判語了。