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雙向可控硅使用經典守則

作者: 時間:2018-08-15 來源:網絡 收藏

由于構造較為簡單僅需一個觸發電路就能進行工作,能夠作為較為理想的交流來使用,應用范圍在近幾年來有逐漸增大的趨勢。本文將對確保閘流管和順利完美工作的十個條件進行介紹,幫助大家完善設計。

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/201808/386977.htm

規則1

為了導通閘流管(或),必須有電流RIGT,直至負載電流達到RIL。這條件必須滿足,并按可能遇到的最低溫度考慮。

規則2

要斷開(切換)閘流管(或雙向可控硅),負載電流必須間,使能回復至截止狀態。在可能的最高運行溫度下必須滿足上述條件。

規則3

設計雙向可控硅觸發電路時,只要有可能,就要避開3+象限(WT2-,+)。

規則4

為減少雜波吸收,連線長度降至最低。返回線直接連至MT1(或陰極)。若用硬線,用螺旋雙線或屏蔽線。和MT1間加電阻1kΩ或更小。高頻旁路電容和門極間串接電阻。另一解決辦法,選用H系列低靈敏度雙向可控硅。

規則5

若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起問題,在MT1和MT2間加入RC緩沖電路。若高dICOM/dt可能引起問題,加入一幾mH的電感和負載串聯。另一種解決辦法,采用Hi-Com雙向可控硅。

規則6

假如雙向可控硅的VDRM在嚴重的、異常的電源瞬間過程中有可能被超出,采用下列措施之一:

負載上串聯電感量為幾μH的不飽和電感,以限制dIT/dt;用MOV跨接于電源,并在電源側增加濾波電路。

規則7

選用好的門極觸發電路,避開3+象限工況,可以最大限度提高雙向可控硅的dIT/dt承受能力。

規則8

若雙向可控硅的dIT/dt有可能被超出,負載上最好串聯一個幾μH的無鐵芯電感或負溫度系數的熱敏電阻。另一種解決辦法:對電阻性負載采用零電壓導通。

規則9

器件固定到散熱器時,避免讓雙向可控硅受到應力。固定,然后焊接引線。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側。

規則10

為了長期可靠工作,應保證Rthj-a足夠低,維持Tj不高于Tjmax,其值相應于可能的最高環境溫度。



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