光耦設計在電路中的主要作用，是對光能與電能進行隔離，從而達到防止干擾保護電路運行狀態額目的。但是在對光耦電路進行設計之前，首先需要了解一些基礎的且較為重要的知識點，否則在設計過程中就有可能造成不必要的錯誤，達不到保護電路的目的。

光電耦合器的優勢有目共睹，其體積小、壽命長、無觸點，抗干擾能力強，輸出和輸入之間絕緣，單向傳輸信號表現優異，在數字電路上也有廣泛的應用。而在光耦電路設計中，有兩個參數常常被人忽視，需要格外注意。

反向電壓

反向電壓Vr，是指原邊發光二極管所能承受的最大反向電壓，超過此反向電壓，可能會損壞LED。而一般光耦中，這個參數只有5V左右，在存在反壓或振蕩的條件下使用時，要特別注意不要超過反向電壓。如，在使用交流脈沖驅動LED時，需要增加保護電路。

電流傳輸比

另外一個參數是光耦的電流傳輸比，是指在直流工作條件下，光耦的輸出電流與輸入電流之間的比值。光耦的CTR類似于三極管的電流放大倍數，是光耦的一個極為重要的參數，它取決于光耦的輸入電流和輸出電流值及電耦的電源電壓值，這幾個參數共同決定了光耦工作在放大狀態還是開關狀態，其計算方法與三極管工作狀態計算方法類似。若輸入電流、輸出電流、電流傳輸比設計搭配不合理，可能導致電路不能工作在預想的工作狀態。

除上述兩個參數外，光耦還有幾個參數是比較重要的，如：

正向工作電壓Vf

Vf是指在給定的工作電流下，LED本身的壓降。常見的小功率LED通常以If=10mA來測試正向工作電壓，當然不同的LED，測試條件和測試結果也會不一樣。

集電極電流Ic

光敏三極管集電極所流過的電流，通常表示其最大值。

C-E飽和電壓Vce

即光敏三極管的集電極-發射極飽和壓降。

上升時間Tr與下降時間Tf

其定義與典型測試方法如圖2所示，它們反映了工作在開關狀態的光耦，其開關速度情況。

以上6個參數是在光耦電路中較為重要，但也是經常被設計者們所忽略的關鍵點。在接觸光耦設計之前對這幾個參數進行一定程度上的了解，能夠最大程度的避免光耦電路設計錯誤情況的發生。與此同時，在光耦電路發生錯誤的時候也可先從這些參數入手，看看是否是關鍵參數出了問題。