《“十三五”國家戰略性新興產業發展規劃》明確表示國家將大力發展新能源汽車，而IGBT、碳化硅器件等作為新能源汽車的核心器件，國產化替代需求巨大。6月22日，“2018國際新能源汽車功率半導體關鍵技術論壇”在北京舉行，旨在把行業最優的核心器件推廣至新能源汽車應用。作為全球第一家提供溝槽型場截止型(Trench FS, Field Stop)IGBT量產技術的8英寸代工廠，華虹宏力在IGBT代工領域有口皆碑，始終以深厚的技術底蘊和卓越的性能品質深受客戶認可，會上被授予“新能源汽車功率半導體十佳企業”。

　　憑借研發創新與產學研合作，華虹宏力陸續推出了600V、1200V、1700V等IGBT器件工藝，成功解決了IGBT的關鍵工藝問題，在溝槽型場截止型IGBT量產上經驗豐富，更是國內唯一擁有IGBT全套背面加工工藝的晶圓代工企業，包括背面薄片、背面離子注入、背面激光退火、背面金屬，背面光刻。

　　2018年5月，華虹宏力正式通過IATF 16949汽車質量管理體系認證。相較老版TS 16949，IATF 16949汽車質量管理體系更著重于持續改善，強調缺陷預防以及減少變差和浪費。

　　汽車電動化的大旗下，車用半導體蓬勃發展，華虹宏力將繼續堅持技術創新與質量管理雙管齊下，積極開拓汽車電子市場，進一步服務客戶需求，提升客戶滿意度，向更高質量目標再出發。