一,FSMC簡介

　　FSMC:靈活的靜態存儲控制器

　　能夠與同步或異步存儲器和16位PC存儲器卡連接

　　STM32的FSMC接口支持包括SRAM、NAND FLASH、NOR FLASH和PSRAM等存儲器

　　STM32 407和103是不支持SD RAM的,429,439支持SD RAM操作

　　二,FSMC驅動LCD原理

　　FSMC驅動外部SRAM(LCD被當做SRAM)

　　SRAM控制包含:

　　地址線(如A0~A25)

　　數據線(如D0~D15)

　　寫信號(WE，即WR)

　　讀信號(OE，即RD)

　　片選信號(CS)

　　若SRAM支持字節控制，還有UB/LB信號。

　　上一節提到的TFTLCD信號,RS、D0~D15、WR、RD、CS、RST和BL等

　　其中真正操作LCD時用到的就只有：

　　數據&命令:RS

　　數據線:D0~D15

　　寫信號:WR

　　讀信號:RD

　　片選信號:CS

　　操作時序和SRAM控制類似，唯一不同是TFTLCD有RS信號，但是沒有地址信號

　　TFTLCD通過RS信號來決定傳送是數據還是命令，可以理解為一個地址信號

　　將RS接到FSMC地址線A10(A0-A25隨意),TFTLCD就被當做一個SRAM使用

　　這樣TFTLCD成為只有一個地址的SRAM設備,從而實現FSMC驅動TFTLCD

　　三,FSMC存儲塊

　　STM32的FSMC支持8/16/32位數據寬度，我們使用的LCD為16位，所以設置選擇16位

　　FSMC的外部設備地址映像:STM32的FSMC將外部存儲器劃分為固定大小為256M字節的四個存儲塊

　　如圖:

　　FSMC分為4塊,每塊256M字節又被劃分為4*64,即四個片選

　　NOR / PSRAM使用塊1,共256M

　　NAND閃存使用塊2,3,共512M

　　PC卡使用塊4,共256M

　　所以我們使用NOR PSRAM驅動TFTLCD

　　四,存儲塊1(Bank1)寄存器介紹

　　STM32的FSMC存儲塊1(Bank1)用于驅動NOR FLASH/SRAM/PSRAM

　　Bank1被分為4個區，每個區管理64M字節空間，每個區都有獨立的寄存器對所連接的存儲器進行配置。

　　Bank1的256M字節空間由28根地址線(HADDR[27:0])尋址。 這里HADDR，是內部AHB地址總線

　　HADDR[25:0]來自外部存儲器地址FSMC_A[25:0]，而HADDR[26:27]對4個區進行尋址。

　　如下圖所示:

　　說明:

　　HADDR[27:26]是不可手動配置的,當選擇所在區后會自動賦值

　　注意:

　　1,當Bank1接 8位寬度存儲器時：HADDR[25:0] -> FSMC_A[25:0]

　　2,當Bank1接16位寬度存儲器時：HADDR[25:1] -> FSMC_A[24:0]

　　由于內部每個地址對應一個字節,外部設備16位寬,FSMC的一個地址對應兩個字節

　　即:

　　0000對應FSMC_A[0]=0 (2字節)

　　0010對應FSMC_A[0]=1 (2字節)

　　0100對應FSMC_A[1]=1 (2字節)

　　所以對應關系需要除以2,內部右移一位對齊

　　此時最低位沒用,訪問最低位需要使用UB/LB

　　不論外部接8位/16位寬設備，FSMC_A[0]永遠接在外部設備地址A[0]

　　五,存儲塊1(Bank1)模式A讀寫時序

　　STM32的FSMC存儲塊1支持的異步突發訪問模式

　　包括模式1,模式A~D等多種時序模型，驅動SRAM一般使用模式1或模式A

　　我們使用模式A驅動LCD(當做SRAM使用),模式A支持讀寫時序分開設置

　　上一篇說的LCD時序,我們知道,LCD的讀寫耗時是不同的.寫快讀慢

　　這里采用模式A,針對不同的速度,做不同的設置

　　模式A讀時序:

　　模式A寫時序:

　　ILI9341時序-讀寫高低電平最小持續時間:

　　根據ILI9341時序讀寫高低電平最小持續時間來配置模式A的讀寫時序

　　六,FSMC相關寄存器介紹

　　對于NOR FLASH/PSRAM控制器-存儲塊1，可通過FSMC_BCRx、FSMC_BTRx和FSMC_BWTRx寄存器設置(其中x=1~4，對應4個區)。

　　通過這3個寄存器，可以設置FSMC訪問外部存儲器的時序參數，拓寬了可選用的外部存儲器的速度范圍。

　　1,SRAM/NOR閃存片選控制寄存器(FSMC_BCRx)

　　FSMC_BCRx

　　EXTMOD：

　　擴展模式使能位，控制是否允許讀寫不同的時序，需設置為1

　　WREN：

　　寫使能位。我們要向TFTLCD寫數據，需設置為1

　　MWID[1:0]：

　　存儲器數據總線寬度。00，表示8位數據模式;01表示16位數據模式;10和11保留。

　　我們的TFTLCD是16位數據線，需設置WMID[1:0]=01。

　　MTYP[1:0]：

　　存儲器類型。00表示SRAM、ROM;01表示PSRAM;10表示NOR FLASH;11保留。

　　我們把LCD當成SRAM用，需設置MTYP[1:0]=00。

　　MBKEN：

　　存儲塊使能位。需設置為1

　　2,SRAM/NOR閃存片選時序寄存器(FSMC_BTRx)-讀時序控制

　　FSMC_BTRx

　　ACCMOD[1:0]：

　　訪問模式。00:模式A;01:模式B;10:模式C;11:模式D。

　　我們使用模式A,需設置為00

　　DATAST[7:0]：

　　數據保持時間，等于: DATAST(+1)個HCLK時鐘周期，DATAST最大為255。

　　對于ILI9341相當于RD低電平持續時間,最大355ns

　　對于STM32F1，一個HCLK=13.8ns (1/72M)，設置為15,相當于16個HCLK=220.8,加上STM32F1的FSMC性能較低一些,配置為15即可

　　對于STM32F4，一個HCLK=6ns(1/168M) ，設置為60(360)。

　　ADDSET[3:0]：

　　地址建立時間。表示：ADDSET+1個HCLK周期，ADDSET最大為15。

　　對ILI9341來說，這里相當于RD高電平持續時間，為90ns。

　　STM32F1的FSMC性能較低,即便設置為0,RD也有190ns高電平,所以設置為1

　　STM32F1設置為15

　　注意:

　　如果未設置EXTMOD位,則讀寫共用FSMC_BTRx時序寄存器

　　3,SRAM/NOR閃存寫時序寄存器(FSMC_BWTRx)-寫時序控制

　　FSMC_BWTRx

　　ACCMOD[1:0]：

　　訪問模式。00:模式A;01:模式B;10:模式C;11:模式D。

　　DATAST[7:0]：

　　數據保持時間，等于: DATAST(+1)個HCLK時鐘周期，DATAST最大為255。

　　對ILI9341來說，其實就是WR低電平持續時間，為15ns，不過ILI9320等則需要50ns。

　　考慮兼容性，對STM32F1一個HCLK=13.8ns (1/72M)，設置為3(4*13.8=55.2);

　　對STM32F4，一個HCLK=6ns(1/168M) ，設置為9(9*6=54)。

　　ADDSET[3:0]：

　　地址建立時間。表示：ADDSET+1個HCLK周期，ADDSET最大值為1111 = 15。

　　對ILI9341來說，這里相當于WR高電平持續時間，為15ns。

　　考慮兼容ILI9320，STM32F1即便設置為1,WR也有100ns高電平，所以設置為1。

　　而對STM32F4，則設置為8(9*6=54)

　　七,寄存器組合說明

　　ST官方庫寄存器定義中并沒有FSMC_BCRx、FSMC_BTRx、FSMC_BWTRx等單獨寄存器

　　而是將他們進行了一些組合。規律如下：

　　FSMC_BCRx和FSMC_BTRx，組合成BTCR[8]寄存器組，他們的對應關系如下：

　　BTCR[0]對應FSMC_BCR1，BTCR[1]對應FSMC_BTR1

　　BTCR[2]對應FSMC_BCR2，BTCR[3]對應FSMC_BTR2

　　BTCR[4]對應FSMC_BCR3，BTCR[5]對應FSMC_BTR3

　　BTCR[6]對應FSMC_BCR4，BTCR[7]對應FSMC_BTR4

　　FSMC_BWTRx則組合成BWTR[7]，他們的對應關系如下：

　　BWTR[0]對應FSMC_BWTR1，

　　BWTR[2]對應FSMC_BWTR2，

　　BWTR[4]對應FSMC_BWTR3，

　　BWTR[6]對應FSMC_BWTR4，

　　BWTR[1]、BWTR[3]和BWTR[5]保留