東芝存儲器株式會社推出采用64層3D閃存的BGA NVMeTM SSD
東芝存儲器株式會社近日宣布推出BG3系列,這是一款全新陣容的單一封裝型NVM Express? (NVMe?)客戶級SSD產品,它在球柵陣列(BGA)封裝中集成了東芝存儲器株式會社先進的64層3bit-per-cell TLC(1個存儲器存儲單元可存放3比特的數據)BiCS FLASH?存儲器和控制器。東芝存儲器株式會社于今日起針對PC OEM客戶進行小規模樣品出貨,并將從今年第四季度(10-12月)開始逐步擴大出貨規模。
本文引用地址:http://www.j9360.com/article/201708/363266.htm全新BG3 SSD系列采用PCI EXPRESS?(PCIe?)Gen3 x 2通道結構以及NVM Express?(NVMe?)1.2.1版協議,并搭載了主機內存緩沖(HMB)功能[1]。該功能利用主機存儲器取代SSD的DRAM,從而有望節省系統的功耗和設計空間,幫助緊湊型設備的開發人員找到高性能和低功耗的平衡途徑。另外,BG3 SSD系列結合SLC緩存功能特性、閃存管理的改進以及閃存性能的提高所達到的綜合效應,順序讀取和順序寫入的傳輸性能分別高達1520MB/s和840MB/s[2]。
此款SSD系列提供三款容量:128GB、256GB和512GB[3]。全部采用符合業界最小級別的SSD外形尺寸規格[4],即16mm x 20mm x 1.5mm的表面貼裝式M.2 1620[5] 單一封裝規格和可拆卸式M.2 2230[6] 模塊規格。BG3系列的外形尺寸比前一代產品更緊湊,其128GB和256GB單一封裝型產品符合M.2 1620-S2的1.35mm薄型規格,512GB單一封裝型產品符合M.2 1620-S3的1.5mm規格。這將有助于促進包括薄型移動電腦和平板電腦在內的各種移動設備和嵌入式設備的全新開發。同時,基于其小型和低功耗的特點,在數據中心的應用中BG3 SSD也可作為對于空間和功耗有一定要求的服務器啟動存儲器來使用。
BG3系列將于2017年8月8日至10日在美國加利福尼亞州圣克拉拉市舉行的“閃存高峰會議”上進行展出,展臺號為#407。
* PCI Express?和PCIe?是PCI-SIG的注冊商標。
*NVMe和NVM Express是NVM Express公司的商標。
*本文所提及的所有其它公司的名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。
注:
[1] 該功能利用主機DRAM的一部分用于SSD的閃存管理。
[2] 該性能是根據東芝存儲器株式會社的測試標準,使用128KiB單元順序訪問測得的BG3 512GB型號產品的順序讀取和順序寫入性能。根據不同的測試環境,讀寫條件以及負載,其性能存在差異。東芝存儲器株式會社定義1兆字節(MB)為1,000,000字節,1千位二進字節(KiB)為210字節或1,024字節。本文中的順序讀取和順序寫入性能僅為參考數據,可能與規格說明書中的BG3產品數據有所不同。
[3] 容量定義:東芝存儲器株式會社定義千兆字節(GB)為1,000,000,000字節。而計算機操作系統使用2的冪數來標示存儲容量,其定義1GB=230字節=1,073,741,824字節,因此會顯示較少的存儲容量。根據不同的文件大小、格式、設置、軟件和操作系統,可用存儲容量(包括各種媒體文件示例)將存在差異,如微軟操作系統和/或預裝軟件應用程序或媒介內容。實際的格式化容量可能存在差異。
[4] 東芝存儲器株式會社調查結果,截止于2017年8月3日。
[5] 單一封裝型128GB和256GB產品的外形尺寸規格為M.2 1620-S2,512GB產品的外形尺寸規格是M.2 1620-S3。
[6] 模塊型128GB和256GB產品的外形尺寸規格為M.2 2230-S2,512GB產品的外形尺寸規格是M.2 2230-S3。
評論