近年來，SiC(碳化硅)因其優異的節能效果和對產品小型化、輕量化的貢獻，在新能源汽車、城市基礎設施、環境/能源，以及工業設備領域的應用日益廣泛。

　　與同等額定電流的IGBT產品相比，SiC產品憑借更低的開關損耗，可實現設備中冷卻機構的小型化。同時，通過更高頻率的開關動作，還可實現線圈和電容器等周邊元器件的小型化。可見，SiC是可以同時實現設備節能化、小型化和輕量化的“理想的元器件”。

　　ROHM很早就開始量產SiC-MOSFET及內置功率半導體元件全部由SiC組成的“全SiC”功率模塊。如今，ROHM擁有SiC肖特基二極管、SiC-MOSFET、SiC功率模塊，以及"全SiC"功率模塊在內的豐富產品陣容。

ROHM半導體(上海)有限公司設計中心高級經理 水原 徳建 (Tokuyasu Mizuhara)

　　ROHM SiC產品的優異性能和品質在汽車領域也已逐步獲得認可。包括在快速充電用的車載充電器方面，在電動汽車 (EV) 的馬達與逆變器方面的采用也在加速。

　　2016年10月，ROHM與參加國際汽車聯合會 (FIA) 電動方程式錦標賽 (Formula E) 的文圖里電動方程式車隊 (Venturi Formula E Team) 簽訂了為期3年的技術合作伙伴協議。從2016年10月9日開幕的第三賽季起，對于在賽車驅動中起到核心作用的逆變器部分，將提供世界最先進的功率半導體：SiC功率元器件，對機械的小型化、輕型化和高效化提供支持。與在第二賽季中使用的逆變器相比，搭載了ROHM的SiC肖特基勢壘二極管的逆變器的效率改善了1.7%，并實現了2kg的輕量化。另外，通過散熱系統的小型和輕量化，還實現了逆變器體積30%的小型化。并且，SiC-MOSFET計劃將于第四賽季被應用到逆變器中，預計將帶來更大幅度的改善。