近年來，節能化趨勢日益加速，家電節能的標準不斷修訂，相比傳統關注功率負載較大的設備啟動時和額定條件下的節能，近年來要求負載較小的正常運轉時更節能的趨勢日益高漲。據稱，在全球的電力需求中，近50%被用于驅動電機，隨著空調在新興國家的普及，全球的電力局勢逐年嚴峻。在這種背景下，ROHM開發出PrestoMOS，非常適用于要求低功耗化的空調等白色家電和工業設備等的電機驅動，可大大降低應用正常運轉時的功耗，滿足了社會的節能需求。

　　作為家電用MOSFET的領導者，ROHM的高速trr型600V 超級結MOSFET PrestoMOS產品群又新增“R60xxMNx系列”，非常適用于要求低功耗化的白色家電及工業設備等的電機驅動。PrestoMOS是擁有業界最快trr性能的功率MOSFET，以業界最小的開關損耗著稱。因使搭載變頻器的白色家電的功耗更低而獲得高度好評。

　　一般MOSFET具有高速開關和低電流范圍的傳導損耗低的優點，設備正常運轉時可有效降低功耗。“R60xxMNx系列”利用ROHM獨有的Lifetime控制技術，不僅保持了業界最快trr性能，而且Ron和Qg更低，非常有助于變頻電路的節能。在保障性能的同時，安全性也得到進一步提升，通常，一旦發生短路，即具有電路誤動作、流過超出設計值的大電流、引起異常發熱、甚至元件受損的可能性。一直以來，因性能與短路之間的制約關系，確保超強的短路耐受能力是非常困難的，而“R60xxMNx系列”利用ROHM的模擬技術優勢，對熱失控的成因---寄生雙極晶體管成功地進行了優化，可確保電機驅動所必須的短路耐受能力，有助于提高應用的可靠性。

　　自導通是指MOSFET在關斷狀態下，高邊主開關一旦導通，則低邊MOSFET的漏極-源極間電壓急劇增加，電壓被柵極感應，柵極電壓上升，MOSFET誤動作。該現象使MOSFET內部產生自身功率損耗。而“R60xxMNx系列”通過優化寄生電容，可將該損耗控制在非常微小的最低范圍內。

　　此次開發的“R60xxMNx系列”作為ROHM MOSFET產品序列中的高速Trr產品家族，通過優化ROHM獨有的芯片結構，在保持PrestoMOS“高速trr性能”特征的基礎上，還成功地使Ron和Qg顯著降低。由此，在變頻空調等電機驅動的應用中，輕負載時的功率損耗與以往的IGBT相比，降低約56%，節能效果非常明顯。

　　不僅如此，“R60xxMNx系列”利用ROHM多年積累的模擬技術優勢，還實現了超強的短路耐受能力，減輕了因電路誤動作等導致的異常發熱帶來的破壞風險，有助于提高應用的可靠性。