全球第 2 大 NAND 型快閃存儲器廠東芝(Toshiba)28 日宣布，攜手 SanDisk 研發出全球首款采用堆疊 96 層制程技術的 3D NAND Flash 產品，且已完成試樣。該款產品為 256Gb(32GB)、采用 3bit/cell(TLC：Triple Level Cel)技術的產品，預計于 2017 年下半送樣、2018 年開始進行量產，主要用來搶攻數據中心用 SSD、PC 用 SSD 以及智能手機、平板電腦和存儲卡等市場。

　　東芝今后也計劃推出采用堆疊 96 層制程技術的 512Gb(64GB)3D NAND 產品以及采用全球首見的 4bit/cell(QLC = Quad-Level Cell)技術的 3D NAND 產品。上述堆疊 96 層的 3D NAND 將利用東芝四日市工廠“第 5 廠房”、“新第 2 廠房”以及預計 2018 年夏天完成第 1 期工程的“第 6 廠房”進行生產。

　　近日，東芝因出售東芝存儲器與合作伙伴、共同營運 NAND 型快閃存儲器主要據點“四日市工廠”的 Western Digital(WD)鬧翻，除 28 日狀告西數求償 1200 億日圓之外，同日宣布將進行增產投資，且表明若 WD 無意合作投資的話也沒關系，東芝會單獨進行。

　　據悉，因應來自服務器、數據中心的 3D NAND 需求擴大，東芝存儲器預計在 2017 年度內(截至 2018 年 3 月底為止的會計年度)砸下 1800 億日圓進行增產投資，該筆資金除將用于導入“第 6 廠房”第 1 期工程所需的生產設備之外，也將用于第 2 期工程的廠房興建。

　　“第 6 廠房”第 1 期工程預計于 2018 年夏天完工，第 2 期工程廠房預計于 2017 年 9 月動工、2018 年年末完工。至于具體的產能、生產計劃，將于今后視市場動向決定。

　　目前，東芝已量產堆疊 64 層的 3D NAND 產品。與 64 層產品相比，96 層 3D NAND 每單位面積的存儲容量擴大至約 1.4 倍，且每片晶圓所能生產的存儲容量增加，每 bit 成本也下滑。

　　東芝表示，堆疊 16 片 768Gb 芯片，實現業界最大容量 1.5TB 的 QLC 技術產品預計于 2017 年 8 月送樣，且該款 1.5TB 產品將在 8 月 7-10 日期間于美國圣塔克拉拉舉行的“Flash Memory Summit 2017”上進行展示。