GlobalFoundries研發7納米芯片,14納米來自三星
GlobalFoundries宣布推出7納米(7LP)FinFET制程技術,主要應用在高階手機處理器、云端服務器網路基礎設備等領域,目前設計軟件已經就緒,預計7LP技術的首批產品將于2018年上半問世,2018年下半正式進行量產。
本文引用地址:http://www.j9360.com/article/201706/360704.htmGlobalFoundries在2016年宣布要展開自研7納米FinFET制程之路,且為了加快7LP的量產進度,GlobalFoundries也計劃投入極紫外光(EUV)技術,7LP技術在量產初期仍是會采用傳統的光刻方式,未來會逐步使用EUV技術。

GlobalFoundries的14納米制程技術是向三星電子(Samsung Electronics)授權而來,7納米制程世代回到自己開發,未來會在GlobalFoundries紐約Fab8晶圓廠生產。
GlobalFoundries表示,由于晶體管和制程水平的進一步改進,7LP技術的表現遠高于最初的性能目標,與14納米FinFET技術的產品相比,面積建少一半,同時處理性能提升超過40%。
GlobalFoundries的CMOS業務部資深副總裁Gregg Bartlett表示,7納米FinFET制程技術正在按照計劃開發,預期2018年量產,且有多樣化產品,相信對客戶將有強大吸引力。
在推動7納米芯片量產的同時,GlobalFoundries也積極開發下一代5納米技術,先進制程技術不缺席。
GlobalFoundries表示,通過與合作伙伴IBM、三星的密切合作,2015年已經有7納米制程的測試芯片,近日宣布首款使用納米矽片晶體管的5納米的樣片,未來會持續探索一系列新的晶體管架構。
GlobalFoundries的14納米FinFET制程在2016年2月在Fab 8廠開始生產,未來7納米FinFET制程技術也會充分利用14納米FinFET制程技術上的量產制造經驗。
對于GlobalFoundries宣布投入7納米制程技術,合作伙伴AMD也表示看好。
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