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中芯國際與Invensas簽署鍵合技術轉讓與授權協議

作者: 時間:2017-03-17 來源:美通社 收藏

  集成電路制造有限公司(簡稱“”),世界領先的集成電路晶圓代工企業之一,中國內地規模最大、技術最先進的集成電路晶圓制造企業,與Xperi的全資子公司,日前共同宣布簽署直接鍵合互聯(DBIR:Direct Bond Interconnect)技術轉讓與授權協議。 通過這項協議,能夠為圖像傳感器制造客戶提供此項鍵合技術。

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/201703/345338.htm

  “作為領先的半導體代工企業,中芯國際為全球的電子器件制造商提供先進的半導體制造工藝。 我們很高興能夠將DBI技術加入到我們的技術組合中。 ”中芯國際首席執行官兼執行董事邱慈云博士表示,“這項技術是3D堆棧圖像傳感器制造的關鍵步驟,通過與的緊密合作,我們將會為客戶加快新一代圖像產品的開發和商業化。 ”

  DBI技術是一項低溫混合晶圓鍵合解決方案,能夠在無壓力下鍵合,實現異質晶圓特殊細間距3D電子互聯。 DBI 3D互聯可以消除對TSV縮小尺寸和降低成本的需求,同時為下一代圖像傳感器提供像素級互聯技術路線。

  “很高興能夠與中芯國際,全球最大最有聲望的半導體代工企業之一簽署此項授權協議,” 總裁Craig Mitchell表示,“中芯國際認可DBI技術對全球客戶的巨大意義,我們也期望與中芯國際更加緊密的合作,將此平臺融入到他們世界級的設計及制造環境中。 ”



關鍵詞: 中芯國際 Invensas

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