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西數超車三星電子或點燃NAND價格戰

作者: 時間:2016-10-13 來源:MoneyDJ 收藏

  全球硬盤機大廠Western Digital(WD)和日廠東芝(Toshiba)合作,打算超車三星電子,搶先生產64層3D Flash。不過外資警告,要是WD和東芝真的追上三星,三星可能會擴產淹沒市場,重創價格。

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/201610/311260.htm

  巴倫(Barronˋs)11日報道,Jefferies & Co.的James Kisner表示,WD和東芝計劃搶在三星之前,生產64層3D flash,此舉可能導致三星擴產還擊。報告稱,當前三星在業界握有主導權,將密切關注WD/閃迪(WD去年收購了閃迪)在第四季末的生產情況,決定64層3D NAND的增產速度。要是三星認為WD技術趕上,可能會快速增加3D NAND產能。

  報告指出,反諷的是,近期內東芝/閃迪64層技術發展緩慢,對業界較為有利。倘若WD迅速增產64層3D NAND,三星也會擴產迎擊,這么一來,WD可能會流失企業固態硬盤(SSD)市占,SSD是NAND利潤最高的市場,而且業界的價格壓力也會大增。如今WD進退不得,不能放慢速度,以免對手追上,但是發展太快,又可能導致三星強力反擊。

  三星是第一家開發出3D NAND Flash業者,技術遙遙領先,不過據傳日廠東芝(Toshiba)砸重金研發后,情勢一夕驟變,東芝即將超車三星,成為首家生產64層3D NAND Flash的廠商。

  BusinessKorea 7月20日報道,2013年三星電子率先制造3D NAND,東芝直到今年春天才加入生產行列,不過卻以光速追上對手,計劃今年第三季生產全球首款的64層3D NAND Flash,比三星快了一季。

  64層3D NAND Flash極為重要,業界認為64層3D NAND Flash的出現,代表平面NAND Flash時代畫上句點。3D NAND Flash采垂直堆疊,可提高存儲器容量和速度,表現優于平面NAND Flash。

  廠商爭相投資3D NAND Flash,令人憂心忡忡。據傳三星電子平澤廠(Pyeongtaek)將提前投產,SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)產能也將于明年下半全面開出,屆時3D NAND可能會從供不應求、淪為供給過剩。

  BusinessKorea 6日報道,NAND需求爆發,據悉三星電子決定平澤廠完工時間提前三個月,改在明年三、四月開始生產第四代64層3D NAND。三星平澤廠完工,加上原本的華城(Hwaseong)廠,屆時三星3D NAND產能將從當前水準提高兩倍、至32萬片。

  SK海力士也準備生產3D NAND,仁川廠M14線無塵室正在裝設儀器,估計第二代36層3D NAND可在今年第二季出貨、第三季量產。第四季將加碼投資第三代48層3D NAND,估計未來3D NAND將占SK海力士產出的一半。



關鍵詞: 西數 NAND

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