3.5G、軍工兩輪驅動，帶動上游化合物半導體國產化及需求

　　半導體材料是制作半導體器件和集成電路的電子材料，是半導體工業的基礎。隨著新的半導體材料出現、電力電子技術進步與制作工藝的提高，半導體在過去經歷了三代變化。第一代半導體為硅(Si) ，第二代為砷化鎵(GaAs) ，第三代半導體為碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)。由于硅基功率器件的性能已逼近甚至達到了其材料的本征極限，寬禁帶功率半導體器件與傳統 Si 基功率半導體器件相比較，其材料特性主要表現在：寬能帶、高飽和速度、高導熱性和高擊穿電場等，使得其在未來 5G、軍工等相關領域應用廣泛。同時隨著 5G、軍工雙輪驅動，將帶動上游化合物半導體國產化及需求。

　　3.1. GaAs：受益 5G通訊/軍工發展及國產替代必要性，國內機會應運而生

　　砷化鎵(Ga As)是由元素周期表中 III 族元素鎵與 V 族元素砷人工合成的半導體化合物，與半導體材料硅相比，它具有高禁帶寬度、高電子遷移率、能帶結構為直接躍遷型、耐高溫以及抗輻射性強等優勢，具有十分廣泛的應用。目前較為成熟的砷化鎵晶體生長方法有水平布里支曼法(HB)、砷泡控制砷壓注入合成法及直接高溫高壓合成法等。制備得到的砷化鎵單晶經過切割、打磨及拋光等工序就可進一步通過微納加工方法制造各種發光器件、光探測器、集成電路。

　　砷化鎵主要用于微波功率器件，即工作在微波波段(頻率 300-300000MHz 之間)的半導體器件。由于 Si 在物理特性上的先天限制，僅能應用在 1GHz 以下的頻率。然而近年來由于無線高頻通訊產品迅速發展，使得具備高工作頻率、電子遷移速率、抗天然輻射及耗電量小等特性的砷化鎵脫穎而出，在微波通訊領域大規模應用。

　　3.1.1. 砷化鎵半導體為射頻通訊核心，無線通訊推動砷化鎵半導體市場快速發展

　　由于砷化鎵高頻傳輸的特性，可以應用在移動設備、網絡基礎設備、國防與航空航天。其中移動設備占比為 71%，智能手機增長迅速。除了在手機應用中飛速成長外，平板電腦、筆記本電腦中搭載的 WiFi模組、固定網絡無線傳輸，以及光纖通訊、衛星通訊、點對點微波通訊、有線電視、汽車導航系統、汽車防撞系統等，也分別采用 1-4 顆數量不等的功率放大器，這都是推動砷化鎵成長的強大動力。

　　根據 Strategy Analytics 調查數據，2014年全球 GaAs 元器件市場總產值為 74.3 億美元，較 2013年 64.7億美元成長 14.8%。隨著通訊 4G/5G推動，我們按照每年 10%的增長，預計 2020 年砷化鎵微波功率半導體實現規模將達到 132億美元。

　　智能手機內部的芯片主要由基帶、AP、射頻芯片、連接芯片和存儲芯片構成，其中，基帶和射頻是實現 2/3/4G蜂窩通訊功能核心的兩大芯片。手機前端由功率放大器、濾波器、雙工器及天線開關組成。在手機無線網絡中，系中的無線射頻模組必定含有兩個關鍵的砷化鎵半導體零組件：以 HBT 設計的射頻功率放大器(RF PA)和以 PHEMT設計的射頻開關器傳統的 2G 手機中，一般需要 2 個功率放大器(PA)，另外 2G手機只有一個頻段，噪聲要求低，使用 1個射頻開關器。到了 3G 時代，一部手機平均使用 4 顆 PA。3.5G手機平均使用 6顆 PA，使用 2個射頻開關器。

　　4G/5G 通訊成砷化鎵微波芯片重要成長動能。2014年，智能手機正式進入 4G 時代，平均使用 7顆 PA，4 個射頻開關器。4G 的射頻通信需要用到 5 模 13 頻，多模多頻的砷化鎵前端放大器模塊及在“頻”和“模”之間切換的射頻開關器不可或缺。目前，單部 4G 智能手機僅達到標淮的通信效果，就至少需要 5 顆以上的砷化鎵功率放大器，此外智能手機中的衛星定位功能也需要用到 1顆功率放大器，4G 智能手機支持的無線局域網通信(WLAN)也需要至少 1顆功率放大器。下一代 5G技術，其傳輸速度將是現行 4G LTE 的 100倍，目前只有砷化鎵功率放大器可以實現如此快速的資料傳輸。

　　頻段數量增加，推動前端射頻數量增長。射頻前端與移動設備支持的頻段數量成正比關系：伴隨手機支持的頻段越來越多，射頻前端數量也隨手機支持頻段數量的增加線性增加。