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LSI推出新型處理器內核和DRAM內存模塊

作者: 時間:2016-09-12 來源:網絡 收藏

LSI 公司日前宣布推出具有多核功能的 微處理器內核和高速嵌入式 DRAM 內存模塊,進一步豐富了其業界領先的定制芯片 IP 產品系列。該新型處理器內核和內存模塊旨在加速用于諸如企業級交換機、路由器、RAID 存儲器、服務器以及基站等高性能應用中的高級網絡和存儲SoC 的開發。

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/201609/303944.htm

定制多核集成電路 (IC) 使 OEM 廠商能夠針對計算密集型應用開發出高度差異化的高性能解決方案。LSI 推出的這款新型 FP 器件采用 TSMC 40G 工藝制造而成,能以超過1.4 GHz 的時鐘頻率運行, 從而可提供2.5 DMIPS/MHz 的處理性能。 而新型嵌入式 DRAM 內存模塊運行速度高達500 MHz,這對實時視頻處理和高帶寬網絡應用至關重要。

LSI 定制芯片產品部的高級副總裁兼總經理 Sudhakar Sabada 指出:“新一代網絡和存儲基礎架構需要高度集成的 SoC 才能滿足不斷增長的市場需求。借助豐富的已經芯片驗證的 IP 產品系列以及可靠的設計流程,LSI 可幫助客戶前瞻性地構建針對應用優化的SoC,從而使他們能夠在競爭激烈的市場中脫穎而出。”

LSI 為 OEM 廠商提供了諸如通用/專用處理器、協議內核、千兆以太網物理層、高速串并轉換器 (SerDes) 以及嵌入式存儲模塊等豐富的已經現場驗證的 IP 產品系列,最大限度地降低了定制 IC 的開發成本與風險。

LSI 所有嵌入式處理器均獲得包括開發工具和操作系統等軟件產業環境的支持。獲得TSMC 授權的 500 MHz 嵌入式 DRAM 內核是 的第三代 eDRAM IP 產品。它的加入進一步擴大了 針對定制 IC 開發應用的嵌入式 DRAM IP 塊產品陣容。



關鍵詞: LSI PowerPC 476 DRAM內存

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