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技術細節:STM32L如何實現超低功耗微?

作者: 時間:2016-08-16 來源:網絡 收藏

  意法半導體的EnergyLite?超技術平臺是取得業內領先的能效性能的關鍵。這個技術平臺也被廣泛用于意法半導體的8位微控制器STM8L系列產品。EnergyLite?超技術平臺基于意法半導體獨有的130nm制造工藝,為實現超低的泄漏電流特性,意法半導體對該平臺進行了深度優化。在工作和睡眠模式下,EnergyLite?超技術平臺可以最大限度提升能效。此外,該平臺的內嵌閃存采用意法半導體獨有的低功耗閃存技術。這個平臺還集成了直接訪存(DMA)支持功能,在應用系統運行過程中關閉閃存和CPU,外設仍然保持工作狀態,從而可為開發人員節省大量的時間。

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/201608/295563.htm

  

 

  除最為突出的與制程有關的節能特色外,系列還提供更多其它的功能,開發人員能夠優化應用設計的功耗特性。通過六個超低功耗模式,系列產品能夠在任何設定時間以最低的功耗完成任務。這些可用模式包括:(在1.8V/25°C環境的初步數據)

  10.4μA低功耗運行模式,32kHz運行頻率

  6.1 μA低功耗睡眠模式,一個計時器工作

  1.3 μA 停機模式:實時時鐘(RTC)運行,保存上下文,保留RAM內容

  0.5 μA 停機模式:無實時時鐘運行,保存上下文,保留RAM內容

  1.0μA待機模式:實時時鐘運行,保存后備寄存器

  270nA待機模式:無實時時鐘運行,保存后備寄存器

  

 

  STM32L系列新增低功耗運行和低功耗睡眠兩個低功耗模式,通過利用超低功耗的穩壓器和振蕩器,微控制器可大幅度降低在低頻下的工作功耗。穩壓器不依賴電源電壓即可滿足電流要求。STM32L還提供動態電壓升降功能,這是一項成功應用多年的節能技術,可進一步降低芯片在中低頻下運行時的內部工作電壓。在正常運行模式下,閃存的電流消耗最低230μA/MHz,STM32L的功耗/性能比最低185μA/DMIPS。

  

 

  此外,STM32L電路的設計目的是以低電壓實現高性能,有效延長電池供電設備的充電間隔。片上模擬功能的最低工作電源電壓為1.8V。數字功能的最低工作電源電壓為1.65V,在電池電壓降低時,可以延長電池供電設備的工作時間。



關鍵詞: STM32L 低功耗

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