RCK = CLK OUT （ 1）OE = CE2+ AOE （ 2）RE = CE2+ ARE （ 3）式中： RCK 為FIFO 的讀時鐘信號引腳； CLKOUT 為DSP 輸出時鐘； / OE 為FIFO 的輸出使能信號； / AOE 為EMIF 接口的輸出使能信號； /RE 為FIFO 的讀使能信號； / ARE 為EMIF 接口的讀使能信號。

　　2. 2 圖像處理模塊

　　2. 2. 1 TMS320VC5509A 與SDRAM 的接口實現

　　SDRAM 即同步動態隨機存取存儲器， 外部接口采用同步和流水線技術， 具有較高的數據吞吐率。因此能滿足圖像處理高速以及大容量存儲的要求。5509A 的EMIF能與SDRAM 進行無縫連接， 即不需要任何外加邏輯。

　　由于本系統SDRAM 存儲容量為64 M, 而5509A 的每一個CE 空間是32 Mbit, 因此其實是將其擴在CE0 到CE1空間上。但是EMIF 的特性決定了只要選中CE0 也就選中了該SDRAM, 所以只需要將CE0 與SDRAM 的片選信號引腳連接上即可。SDRAM 外擴在CE0 空間， 對CE01 寄存器需要相應的配置， 配置MTYPE 域為011, 用來指示該外部存儲器類型是SDRAM。對于把CE 空間配置為SDRAM類型的存儲器， EMIF 必須完成對SDRAM 初始化的工作。

　　2. 2. 2 TMS320VC5509A 與FLASH 的接口實現

　　FLASH 也稱閃存， 主要特點是在不加電的情況下能長期保存存儲的信息。本系統選用的是AMD 公司的AM29LV800B, 它具有以下特點： 高性能、訪問時間短至70 ns、超低功耗、2. 7~ 3. 6 V 單電源供電、數據可以安全保存超過20 年。系統初始化時， 5509A 自動配置EMIF的數據寬度為16 位， 它的存儲空間只能是CE1, 因此將5509A 的/ CE1 與FLASH 的片選信號/ CE 相連， / AOE、/AWE分別與FLASH 的/ OE、/ WE 相連， 但是5509A 最多只能外擴16 K 異步存儲器， 因此如果要訪問全部的512 K 字節地址需要按照分頁方式訪問， 這個訪問可以通過控制在CPLD 里設置的一個控制寄存器來實現。其中FLA SH 的高位地址線由CPL D 的控制寄存器控制， 該寄存器可以驅動FLASH 的高位地址線處于一個固定的狀態， 從而實現分頁的目的。5509A 與FLA SH 連接框圖如圖3 所示。

圖3 5509A 與FLASH 接口