單芯片電容測量方案PCAP01原理
對于電容傳感器的測量,芯片提供了非常靈活的連接方式,對比典型的連接方式如下所示:

在芯片中用戶可以自己選擇是用內(nèi)部集成的放電電阻進(jìn)行電容的測量,還是外接放電電阻來進(jìn)行測量,連接的方式如下圖所示:

導(dǎo)線補(bǔ)償:
在電容測量當(dāng)中,導(dǎo)線的寄生電容對于整個測量的影響是不能夠忽略的。尤其當(dāng)導(dǎo)線較長的情況下,導(dǎo)線寄生電容的影響將會對測量結(jié)果有致命的影響。在Pcap01當(dāng)中,可以對傳感器的導(dǎo)線寄生電容進(jìn)行有效補(bǔ)償:

通過上面的傳感器連接的方式,可以補(bǔ)償連接傳感器兩端的導(dǎo)線寄生電容,消除導(dǎo)線對于測量結(jié)果的影響。那么如果想要進(jìn)行導(dǎo)線補(bǔ)償,3個在漂移模式的測量需要被進(jìn)行如下:

如果對于高穩(wěn)定性高精度的測量,我們推薦連接傳感器為漂移模式,來進(jìn)行完全補(bǔ)償。當(dāng)然如果導(dǎo)線非常短,而且對于測量性能溫度性能要求并不苛刻的情況下,也可以僅使用內(nèi)部補(bǔ)償,在接地和漂移模式下均可以應(yīng)用:

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