直接使用新部件前要謹慎對待

　　常見的情況是，設計者在現有的設計方案里嘗試使用很好的新部件。同樣常見的是，設計者僅僅是把新部件放到現有部件的位置上，然后跑一個自動效率測試程序。不幸的是，測試結果幾乎是根本靠不住的。如上面看到的，功率損耗在很大程度上取決于死區時間與器件參數匹配得如何。采用高密度溝槽工藝MOSFET具有非常低的R_dson，但是C_issO、Q_gd和Q_oss較大。這些器件具有更好的優值系數(FOM)和更高的效率，設計者需要對電路進行細致的調整，才能實現這些器件的全部潛在性能。把這些器件直接放到現有的電路里進行評估，而不考慮各自的開關參數，將導致錯誤的結果，設計者也找不到更好的方案來提高整體性能。

　　在同樣的電路里，可以比較三個不同的器件，對此進行進一步的說明。表2是計算出的SiR882ADP的最佳死區時間，及其他兩個樣品的死區時間。圖7顯示的是所有器件在不同死區時間下測得的效率。樣品H是用在IBC轉換器的原裝器件，死區時間為20ns。這個器件的柵極閾值電壓V_th最高，能更好地抵御擊穿，甚至是在縮短死區時間的情況下。更低Rd_son的器件的效率更差，僅僅是因為這些器件被用在并不是為它們設計的電路里。樣品F的Rdson幾乎只有一半，但效率只是略微高一點。在加到50%左右負載時，實際的效率比R_dson最高的器件還要差。SiR882ADP在20ns死區時間下的效率也很差，但是在最優的50ns時間時，充分顯示出其優點。

　　結論

　　不同于硬開關轉換器，像IBC或移相橋式整流這樣的ZVS設計方案必須在開關轉換周期內嚴格的死區時間限制條件下工作。在器件關斷的時候，如果死區時間不夠長，會導致失去ZVS狀態，降低效率，在最壞的情況，器件會由于擊穿而失效。即便是同一家制造商的產品，一種器件技術和另一種器件技術所要求的最短死區時間都是不一樣的，但很容易使用公開發布的器件參數來計算出最短的死區時間。通過本文的分析來優化死區時間，能夠幫助工程師發現各種器件技術的優點，甚至使那些過時的設計方案也能達到更好的性能。