每一次工藝制程的變更，都將帶來處理器性能的飛躍。

    在更新的制程工藝上，Intel這一次稍稍領先。Intel最新的65nm處理器已經在IDF大會上亮相。65納米（1納米等于十億分之一米）制程融合了高性能、低功耗晶體管、第二代英特爾應變硅、高速銅互連以及低-K電介質材料。采用65納米制程生產芯片將使英特爾能夠將當前單個芯片上的晶體管數量再翻一番。65nm晶體管不僅在尺寸上比90nm產品更小，而且還會降低能耗并減少電流泄漏。 

    65nm工藝將把泄漏降低四倍，同時與90nm晶體管相比性能卻不會降低。其秘密在于英特爾的“應變硅”技術。當然，它在90nm工藝中也使用了應變硅，但在65nm節點中使用的卻是第二代產品，它能夠在使晶體管性能提高10%-15%的同時卻不會增加泄漏。 65nm工藝還采用了Low K介電質，這種材料能夠進一步限制泄漏。該工藝采用的是8層排列的銅線互連。 

    Intel的65nm SRAM芯片采用了Intel的第二代應變硅技術，銅互連以及低K值電介質。4Mbit的芯片單元大小僅有0.54平方微米，每個單元由6個晶體管組成。Intel介紹1000萬個這樣的芯片和圓珠筆尖相當。

65納米技術SRAM芯片
300毫米晶圓

     英特爾首席執行官保羅