晶閘管的并聯

由于單個元件耐壓水平的提高，每個元件并聯工作以增大設備功率的情形更常見，以兩只晶閘管并聯工作為例，如圖二所示。

理想情況下電流分布，I1=I2=I/2，但是由于元件參數的差異，比如飽和導通壓降的差異，di/dt的差異，電路安裝時工藝上的細微差別造成分布電感上差異等，直接導致I1≠I2，嚴重時將使電流較大的元件因過流而燒毀，因此必須采取措施保證I1與I2的差別在允許的范圍內。

通常采取的辦法是：1）采用共軛電感，以保證動態均流；2）并聯RC電路以吸收浪涌電壓；3）盡量選用通態壓降一致的晶閘管并聯工作；4）嚴格安裝工藝，保證各支路分布電感盡量一致，如圖三所示

以上所述的保護措施要根據元件工作頻率的不足區別對待，在三相整流電路中，通常在電源端增設△形RC濾波器。

由于晶閘管自身特性參數的原因，其極限工作頻率一般限制在8KC以下，對于更高頻率的使用要求，目前國內已經出現采用IGBT作為功率開關元件的超音頻電源。

IGBT的使用與保護

絕緣柵雙極晶體管（IGBT或IGT―InsulatedGateBipolarTransistor），是80年代中期發展起來的一種新型復合器件。IGBT綜合了MOSFET和GTR的優點，因而具有良好的特性。目前IGBT的電流/電壓等級已達1800A/1200V，關斷時間已經縮短到40ns，工作頻率可達40kHz，擎住現象得到改善，安全工作區（SOA）擴大。這些優越的性能使得IGBT稱為大功率開關電源、逆變器等電力電子裝置的理想功率器件。IGBT的驅動方式與可控硅有著明顯的不同，導致控制電路有著很大的差異。可控硅采用強上升沿的窄脈沖信號驅動，而IGBT采用方波驅動。