基于CMOS工藝的鋰聚合物電池保護(hù)電路設(shè)計(jì)
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同時(shí)，還必須考慮諸如傳輸時(shí)延、輸出電壓擺率、輸入共模范圍等性能。鑒于大的偏置電流和小的電容可使擺率得到改善，縮短延遲時(shí)間，因此可通過加大偏置電流而達(dá)到高速。但是，一般而言，高速比較器也會(huì)有較高的功耗。因此在設(shè)計(jì)時(shí)必須在功耗與速度之間進(jìn)行折衷。相對(duì)于處于飽和區(qū)的比較器而言，工作在亞閾值區(qū)的比較器的延遲時(shí)間顯著增長(zhǎng)，這主要是由于工作在亞閾值區(qū)的偏置電流較小，電容充放電需要更長(zhǎng)的時(shí)間，從而使得延遲時(shí)間變長(zhǎng)。該比較器具有與差動(dòng)放大器類似的ICMR(輸入共模范圍)，其最低輸入電壓應(yīng)小于過放電檢測(cè)基準(zhǔn)電壓。
3.2 偏置電路設(shè)計(jì)
偏置電路用于為檢測(cè)電路提供穩(wěn)定、高精度的基準(zhǔn)電壓，從而檢測(cè)過充電、過放電、放電過電流等狀態(tài)。本論文中設(shè)計(jì)了一種低功耗基準(zhǔn)電路，示于圖3。
圖3 低功耗基準(zhǔn)電路
評(píng)論