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電源完整性設計1

作者: 時間:2012-02-07 來源:網絡 收藏
9.gif,整個電容器表現為電容性,當頻率很高時,10.gif 大于11.gif

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/177958.htm

電容器此時表現為電感性,因此“高頻時電容不再是電容”,而呈現為電感。當12.gif時,13.gif ,此時容性阻抗矢量與感性阻抗之差為0,電容的總阻抗最小,表現為純電阻特性。該頻率點就是電容的自諧振頻率。自諧振頻率點是區分電容是容性還是感性的分界點,高于諧振頻率時,“電容不再是電容”,因此退耦作用將下降。因此,實際電容器都有一定的工作頻率范圍,只有在其工作頻率范圍內,電容才具有很好的退耦作用,使用電容進行退耦時要特別關注這一點。寄生電感(等效串聯電感)是電容器在高于自諧振頻率點之后退耦功能被消弱的根本原因。圖5顯示了一個實際的0805封裝0.1uF陶瓷電容,其阻抗隨頻率變化的曲線。

14.jpg
圖5 電容阻抗特性

電容的自諧振頻率值和它的電容值及等效串聯電感值有關,使用時可查看器件手冊,了解該項參數,確定電容的有效頻率范圍。下面列出了AVX生產的陶瓷電容不同封裝的各項參數值。

封裝 ESL(nH) ESR(歐姆)

0402 0.4 0.06

0603 0.5 0.098

0805 0.6 0.079

1206 1 0.12

1210 0.9 0.12

1812 1.4 0.203

2220 1.6 0.285

電容的等效串聯電感和生產工藝和封裝尺寸有關,同一個廠家的同種封裝尺寸的電容,其等效串聯電感基本相同。通常小封裝的電容等效串聯電感更低,寬體封裝的電容比窄體封裝的電容有更低的等效串聯電感。



關鍵詞: 設計 完整性 電源

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