LTM4620 獨特的封裝設計

圖 3 顯示了一個尚未模制的 LTM4620 之染色側視圖和頂視圖。封裝設計由熱傳導性很高的 BT 襯底和足夠的銅箔層組成，以提高電流承載能力并實現至系統電路板的低熱阻。一種專有引線框架功率 MOSFET 棧用來提供高功率密度、低互連電阻、以及給器件的頂部和底部提供很高的熱傳導性。專有散熱器設計連接到功率 MOSFET 棧和功率電感器上，以提供有效的頂部散熱。可以在頂部的裸露金屬面上加上一個外部散熱器，以利用空氣流動去除熱量。由于該專有散熱器的構造和模制封裝，僅有氣流而沒有散熱器就可去除頂部的熱量。

圖 3：LTM4620 的染色側視圖和尚未模制的 LTM4620

圖 4 顯示了 LTM4620 的熱像以及在 26A 設計時 12V 至 1V 的降額曲線。當具有 200LFM 氣流時，溫升僅為 35°C (在環境溫度以上)，而且降額曲線顯示：一直到大約 80°C 時最大負載電流都無需降額。圖 4 顯示了熱量數據，這些數據顯示了耐熱增強型高密度電源穩壓器解決方案的真正優點。獨特的封裝設計在小尺寸中盡可能減少功率損耗，并有效地去除了作為功率損耗函數的熱量。

圖 4：LTM4620 熱像及減額曲線

LTM4620 的電氣性能

圖 5：LTM4620、兩相 1.5V/26A 并聯輸出