圖2:反向恢復特性

鎮(zhèn)流器的性能測試結果

為了驗證UniFETTM II MOSFET系列的有效性，使用包括混合頻率逆變器的150W室內HID燈鎮(zhèn)流器進行實驗。 鎮(zhèn)流器的逆變器電路與圖1相同。低頻臂由2個IGBT組成，其工作頻率范圍為60Hz~120Hz. 另一個臂的工作頻率范圍為30kHz~110kHz. 采用普通MOSFET和FRD的傳統解決方案與UniFET II MOSFET系列之間的擊穿電流對比結果如圖3所示。在傳統解決方案中，反向恢復電流的峰值是11.44A. 而UniFET II MOSFET系列反向恢復電流的峰值是10.48A.

圖3:瞬態(tài)下的穿通電流對比

結論

UniFET II MOSFET系列具有更佳反向恢復特性，如快速恢復時間和低反向恢復電荷。 因此，可去除混合頻率逆變器系統中防止故障所需的4個額外二極管。 實驗證明UniFET II MOSFET系列可提高混合頻率逆變器的系統可靠性，由于去除了額外的二極管，因此可節(jié)省電路板空間和制造成本。