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Hi-Q Low ESR 積層陶瓷電容器的新要求

作者: 時間:2011-06-01 來源:網絡 收藏

近年來,隨著無線通訊市場的快速普及及大量數位資料的傳輸需求,相關通訊設備的傳輸頻率迅速往上提升,從早期900/1,800MHz GSM系統快速發展至今日3G手機與無線網路通訊( Wi-Fi),所使用的傳輸頻率都在2GHz以上,甚至將來的60GHz應用也有越來越多的討論,如下表所示。

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/156224.htm

  

華新科技推出射頻專用Hi-Q Low ESR積層陶瓷電容器

  由于高頻訊號傳輸上,對于訊號的品質相當高,具備「低等效串聯電阻(low ;即低耗能)及優越的高頻率特性(high Q;即高訊號品質)」之高頻通訊用積層(RF-application MLCC),成為近期在積層技術發展上的重要研發項目。MLCC的等效電路如下圖說明,當頻率升高時,實體元件中的與ESL寄生效應都一一浮現,造成元件阻抗隨頻率升高而降低,直到自我諧振頻率 (Self-resonant frequency; SRF)后阻抗才又升高,但此時元件特性已經從電容性轉變為電感性。

  

華新科技推出射頻專用Hi-Q Low ESR積層陶瓷電容器

  也就是說,當MLCC的與ESL越低,將會越接近純電容,其自我諧振頻率會往越高頻率移動,更適合在高頻方面應用。以下列公式說明訊號通過所耗用的功率與比較圖,可以明顯發現 MLCC在高頻率應用的優越之處:

  Power Dissipation (Pd) on Capacitor = i2 * (XC/Q) or i2 * (ESR)

  

華新科技推出射頻專用Hi-Q Low ESR積層陶瓷電容器為了達成降低電容器的等效串聯電阻的目的,核心技術在于金屬內電極與微波介電材料的開發,以及共燒技術的實現。以過去10年間,內電極材料由貴金屬鈀/銀30/70 的成份,藉由銀的優異導電性與比重增加、降低鈀的比重,大幅改善了ESR水準。近年來一般泛用型的NPO MLCC多采用10/90 或3/97鈀銀成份作為內電極材料,但ESR無法再進一步有效降低,除非改用純銅或純銀內電極。如下圖所示:

  

華新科技推出射頻專用Hi-Q Low ESR積層陶瓷電容器

  然而,純度接近100%的銀內電極導電性雖然極為優越,卻會有銀離子遷移(migration)的問題。由于一旦銀遷移的現象產生,將導致產品可靠度與品質的問題(例如內電極短路、耐電壓能力下降),于是諸多國際大廠紛紛宣告禁用純銀電極的產品。

  純銅的材料特性有著與純銀極為接近的導電性與頻率特性,卻無離子遷移、導致可靠度不佳的問題。但礙于純銅內電極制程的困難度遠遠高于純銀內電極系統,如下圖所示,包含內電極材料、介電陶瓷材料、端電極材料、內電極電路設計與介電陶瓷共燒技術都必須有所突破,導致市場上可提供純銅內電極高頻用的MLCC目前僅有日系廠商獨占一方。


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