測試原理與測試線路設計

　　該測試線路是在傳統的相位控制電路的基礎上增加了兩個配置，利用該線路當可控硅的控制端觸發導通時可產生一個高的上升和下降斜率的電流波通過可控硅的T1和T2，從而可以測量電流的變化率，當可控硅的電特性(靜態參數)發生變化時說明該器件已經受損，此前測量的dIT/dt值即為該可控硅能承受的最大導通電流變化率。

　　測試電路原理圖見圖1，一個配置是隔離變壓器，可用來產生一個39V左右的交流電壓來控制可控硅的觸發導通，同時我們可以通過上下兩個單刀雙擲開關來改變控制端的電壓極性，從而可用來測量可控硅的四個導通象限：1+，1-，3+，3-。220k的可調電阻R2用來控制導通的相位角，我們可以設置這個可調電阻使得在交流電的尖峰點觸發使得可控硅導通，這樣可以得到一個高的dIT/dt。　　

 

　　另一種配置是220歐姆的可調電阻R6與12歐姆R5和0.1μF的電容C2構成的阻尼電路，調整該電阻可改變流經可控硅的電流的變化率，即dIT/dt，當我們需要加一個50A/μs的電流在可控硅上時，我們需要調高電阻值，而當我們加一個大于100A/μs的電流在可控硅上，我們就需要使該變阻器的阻值變得很小，這樣可以得到高的dIT/dt。

　　需要說明的是，該測試電路中的燈泡，從40W到1000W的范圍可選，通常我們可以使用市場上常有的40W的燈泡。

　　測試線路原理圖

　　測試線路原理圖如圖1所示。

　　測試的步驟及注意事項

　　(1)在測量可控硅的dIT/dt前，需要先測量它的各項靜態參數，確保它是一個好的器件，以便后面進行dIT/dt的測試。

　　(2)測量前操作：①1+和3-象限：開關向上撥;②1-和3+象限：開關向下撥;③在第一次測試時，為了得到最高的dIT/dt能力，需要調整220k可調電阻器，直到可控硅在交流電的尖峰時刻導通，以后的測量，我們就可以固定此電阻的阻值，無需調整了。

　　(3)開始測試：通過調整220歐姆的可調電阻R6得到某個dIT/dt值，我們規定不間斷的測試時間至少大于3秒鐘。

　　(4)測量完dIT/dt后，再測試該器件的各項靜態參數，從而判斷在某個dIT/dt值下，該器件是否受損或失效。

　　(5)增加施加在可控硅上的dIT/dt，重復步驟3和步驟4直到發現該器件的電特性發生改變，此時可以測試出dIT/dt的最大能力。