飛兆推出一款低側高雙功率芯片非對稱N溝道模塊
—— 幫助設計人員在電源設計中實現最高功率密度和最高效率
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隨著功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能，電源工程師面臨著在較小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低側高雙功率芯片非對稱N溝道模塊 FDPC8011S，幫助設計人員應對這一系統挑戰。
本文引用地址：http://www.j9360.com/article/132298.htm
FDPC8011S專為更高的開關頻率的應用而開發，在一個采用全Clip封裝內集成1.4m? SyncFET 技術和一個5.4m?控制MOSFET、低質量因子的N溝道MOSFET，有助于減少同步降壓應用中的電容數量并減小電感尺寸。該器件具有源極朝下和低側MOSFET可以實現簡單的布局和布線，提供更緊湊的線路板布局并獲得最佳的散熱性能。FDPC8011S具有超過25A的輸出電流，與其它普通3x3mm2 雙MOSFET器件相比，輸出電流容量提高了2倍。
特性和優勢
- 控制N溝道MOSFET RDS(ON) = 5.4m? 典型值，(最大7.3m?) VGS = 4.5V
- 同步N溝道MOSFET RDS(ON) = 1.4m? 典型值，(最大2.1m? ) VGS = 4.5V
- 低電感封裝縮短上升/下降時間，實現更低的開關損耗
- MOSFET集成實現最佳布局，降低線路電感并減少開關節點振鈴
- 滿足RoHS要求
新增3.3x3.3mm2 Power Clip 非對稱雙 MOSFET是飛兆半導體齊全的MOSFET產品系列的一部分，它能夠為電源設計人員提供了大量針對任務關鍵性高效信息處理設計的解決方案。
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