圖2：AMD-RADEON HD 7970顯卡處理器工藝節點的確定(點擊圖片可放大)

　　基于掃描式電子顯微鏡(SEM)以及透射電子顯微鏡(TEM)的結構分析報告表明，上述過程的工藝節點為低于30納米的節點。我們選擇了金屬1層pitch和6T-SRAM單元的區域，對工藝節點進行確定，并在圖2中進行了繪制。NMOS和PMOS具有相似的結構，但PMOS的晶體管使用的是源/漏極水平的鍺化硅，從而提高可移動性，同時，這種半導體在柵極疊層中還采用了其他的金屬層，從而對逸出功進行調整。我們將在后面的報告中對此進行詳細探討。

　　過去廣泛認為，第三代Redeon顯卡將會使用TSMC最新的工藝節點。但是，在獲得帶有內置鍺化硅的HKMG產品，以及超低介電IMD后，Radeon顯卡成為了非常優秀的世界領先的處理器中的一員。此外，這款產品還成就了一家顯卡設計公司和一家晶圓帶工廠之間的長期合作關系。這款顯卡很可能會發掘出更多的電腦游戲創新。