英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)與飛兆半導體公司(NYSE: FCS)近日宣布簽署英飛凌先進汽車級MOSFET封裝工藝H-PSOF(帶散熱盤的塑料小外形扁平引腳封裝)——符合JEDEC標準的TO-Leadless封裝(MO-299)——的許可協議。

　　這種封裝適用于大電流汽車應用，包括混合動力汽車的電池管理、電動助力轉向系統(EPS)、主動式發電機和其他重載電氣系統。TO-Leadless封裝是首個實現300安培電流能力的封裝。這種封裝相對于現有的D2PAK，PCB板面積和高度分別降低20%和50%，從而大幅節省空間。　　

　　開發全新的啟停系統、電動助力轉向系統、電池管理和主動式發電機，以滿足更苛刻的能效和排放要求的汽車電子公司，正在尋求各種創新解決方案，但他們還必須最大程度規避僅從一家供應商采購器件的風險。為確保可靠的器件供應，飛兆半導體與英飛凌簽署該許可協議，旨在將領先業界的TO-Leadless MOSFET封裝解決方案應用于汽車行業，同時最大程度降低從一家供應商采購器件的風險。

　　飛兆半導體公司計劃將TO-Leadless功率器件封裝工藝應用于其最新的MOSFET技術。采用TO-Leadless封裝的首批MOSFET樣品，預計將于2012年下半年開始提供，批量生產有望于2013年中期開始。

　　飛兆半導體汽車業務部副總裁Marion Limmer指出：“憑借多年來在汽車行業積累的豐富經驗，飛兆半導體在滿足當前各大汽車廠商的功率半導體需求方面，遙遙領先。通過采用這種TO-Leadless功率器件封裝工藝，飛兆半導體幫助設計人員充分利用最新的低阻MOSFET技術，從而進一步提高我們在汽車市場的份額。”

　　英飛凌科技股份公司汽車電子業務部總裁Jochen Hanebeck表示：“擁有這個協議，汽車行業將受益于從其他可靠供應商訂購空間、能效及性能方面具備優勢的大電流功率器件。作為汽車功率應用技術的領導者，英飛凌利用其技術專長為汽車系統供應商提供可提高能效和性能的MOSFET，同時還可最大程度降低從一家供應商采購的風險。”

　　飛兆半導體與世界領先的汽車制造商和系統供應商合作，開發出廣泛支持汽車應用的半導體解決方案，包括優化現代汽車的電源管理架構、降低燃耗和環境污染等等。