世界領先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)宣布提供全新4-至64Kb串口非易失性鐵電 RAM (F-RAM)存儲器的預認證樣片，新產品采用Ramtron全新美國晶圓供應商的鐵電存儲器工藝制造，具有1萬次 (1e12)的讀/寫循環、低功耗和無延遲(NoDelay )寫入特性。

　　FM25040C、FM25C160C和FM25640C分別是 4、16和 64Kb F-RAM存儲器，能夠以高達20MHz的總線速度進行寫操作，具有行業標準串行外設接口(SPI)。F-RAM存儲器陣列在接收到數據后，立即將數據寫入存儲器，不同于需要數據輪詢的EEPROM和其它非易失性存儲器，F-RAM存儲器可以立即開始下一個總線周期，這些特性使得Ramtron最新的串口F-RAM存儲器非常適合需要頻繁和快速寫入的非易失性存儲器應用，包括工業控制和高速數據采集等應用。