5月31日，在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會（5月17日至19日）上，英飛凌科技展出的一系列創新產品和解決方案生動地詮釋了大會的宣傳口號“高能效之道（Energy – the efficient way）”。這些產品和解決方案可確保大幅降低電子設備和機器的能耗。

       國際能源機構（IEA）預計，今后20年，全球能耗將增加35%以上。以電力形式消耗的能源，占全球總能耗的三分之一左右。電力一般要經過遠距離輸送，這個過程往往會損耗大量電力。巧妙地利用功率半導體，能夠最大限度地降低發電、輸配電和電源轉換等環節的電力損耗，從而消除這種能源損失。利用這種節能芯片還可以大大提高電子設備和機器的能效，以確保最大限度地節省能源。隨著全球人口數量不斷增長，節能的重要性日益凸顯。從某種意義上講，提高能效也是最大的能源來源之一。作為全球領先的功率半導體供應商，英飛凌通過提供IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）、CoolMOS™、OptiMOS™和碳化硅等產品，為降低全球能耗作出了巨大貢獻。諸如電視機、計算機、電源裝置、游戲機、服務器、電機和機器等各類電子和電氣設備紛紛使用了英飛凌的節能芯片。

      英飛凌科技副總裁兼電源管理和分立式器件業務部總經理Andreas Urschitz表示：“利用英飛凌節能半導體解決方案，最多可將全球總能耗降低25%。我們的產品的節能效果甚至超過了國際能效標準，因而能為我們的客戶帶來明顯的競爭優勢。”

 
       英飛凌在PCIM Europe 2011展會上展出的電源管理產品和解決方案一覽：

      最新RC-D快速IGBT以很高的開關頻率實現了最高達96%的能效，同時縮小變頻器的尺寸并降低其成本

       英飛凌的逆導型（RC）600V IGBT家族又添兩名新成員。這兩款新的功率開關器件可在目標應用中實現最高達96%的能效。利用這些全新推出的RC-D快速IGBT，可以設計出更高能效的電機驅動家用電器，它們使用尺寸更小的元件，因此成本比同類系統更低。

       英飛凌最新推出市場領先的集成快速體二極管的650V CoolMOS™ CFD2產品，可將諸如服務器、太陽能設備、電信機房開關電源和照明裝置等設備的能效提升至新的高度

       英飛凌的最新一代高壓CoolMOS™ MOSFET實現了又一項創新，設立了能源效率的新標準。英飛凌展出了全新650V CoolMOS™ CFD2，它是世界上第一款漏源擊穿電壓為650V并且集成了快速體二極管的高壓晶體管。這個新的CFD2器件延續了600V CFD產品的優點，不僅可以提高能效，而且具備更軟的換流功能，從而降低了電磁干擾（EMI），提升產品的競爭優勢。