上周，Intel和鎂光發表聯合聲明，正式推出采用20nm制程技術制造的NAND閃存芯片產品，并稱這款產品將于年內在IMFT屬下的工廠開始生產。不過兩家的頭名板凳還沒有坐熱，本周Sandisk和東芝組成的搭檔組合便重新奪回了NAND閃存制程技術的寶座，他們宣稱已經制造出了采用19nm制程技術的NAND閃存芯片，目前這兩家公司在日本設有一家合資芯片制造公司。

　　此舉令外界感到非常驚訝。因為按照外界的估計，Sandisk與東芝本應到今年年末時才會對外公布其采用1xnm級別制程的NAND芯片產品。而現在Intel和鎂光卻只在第一名的寶座上坐了7天就被趕下臺來。

　　目前Sandisk與東芝開發的19nm制程技術已經應用到了公司的2位元型64Gb密度芯片產品上，也就是說采用這種19nm制程技術制造的芯片容量可以達到8GB水平。未來兩家公司還計劃將這種制程技術應用在3位元型閃存產品上。

　　據東芝表示，兩家公司將在其位于日本橫濱的300mm規格Fab4(而非新建的300mmFab5)工廠內采用19nm制程生產這種芯片產品，并將逐步提升芯片的產量。目前兩家公司在橫濱的生產基地內共設有四間NAND閃存芯片工廠。

　　去年，日本東芝公司開始了新NAND閃存芯片廠Fab5的建設工作，這間工廠同樣也是300mm規格，該廠預計今年春季將竣工。

　　東芝還表示，東芝方面采用19nm制程制作的2位元型64Gbit密度NAND芯片樣品將于本月底對外供應，而產品的量產則定于今年第三季度進行。

　　應用19nm制程將能進一步縮小閃存芯片的尺寸，這樣東芝便可以將16片64Gbit密度的NAND閃存芯片安裝在同一個封裝內，制造出128GB容量的閃存芯片產品，以滿足智能手機和平板電腦的需求。另外，這款采用19nm制程技術制造的NAND閃存芯片還啟用了可提升數據傳輸速度的Toggle DDR2.0技術。

　　而Sandisk方面則將在本季度內推出采用19nm制程64Gbit密度NAND芯片制作的X2閃存樣品，產品的量產則計劃于今年下半年啟動。屆時Sandisk同樣會將19nm制程技術引入3位元型設計的NAND閃存芯片產品中去。