臺灣長久缺席的快閃存儲器產業終于出現曙光，由于既有NAND Flash技術在20納米制程以下面臨天險，全球大廠紛競逐下世代技術，近期國家納米元件實驗室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術架構下，研發出全球最小的9納米電阻式存儲器，計劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯盟”，將廣邀存儲器廠及晶圓代工廠加入，首波會先洽談臺系存儲器廠，目標5~10年內將此技術導入量產，讓臺灣正式加入NAND Flash產業戰局。

　　NAND Flash技術在20納米制程以前，臺灣存儲器業者完全沒有參與權，因為相關技術和專利都被國際大廠所掌控，但在20納米制程以下，傳統浮動閘(Floating Gate)技術出現天險，面臨儲存電子數越來越少問題，NAND Flash技術出現大變革，各種下世代存儲器陸續問世。目前新世代存儲器技術架構包括PRAM(Phase Change RAM)、MRAM(Magnetic RAM)、R-RAM等，暫無法確定誰能勝出，存儲器龍頭廠三星電子(Samsung Electronics)由于資源龐大，幾乎各種技術都投入研發。

　　這次NDL完成全球最小的9納米存儲器，系采用R-RAM技術為架構，已于12月在美國舊金山所舉行國際電子元件會議(IEDM)正式發表，NDL在實驗室成立1條產線做研發，未來希望能再建1條產線，最終目標是希望將這個9納米產品導入12寸或18寸晶圓廠，作為量產產品。另外，目前布局R-RAM技術業者還包括英特爾(Intel)、新帝(SanDisk)、三星、IBM等。

　　NDL計劃成立“16-8納米元件聯盟”，作為NAND Flash技術平臺，并成為臺廠未來發展新世代NAND Flash技術的專利后盾，此聯盟預計2011年下半正式成立，將廣邀存儲器廠和晶圓代工廠加入，首波邀請對象為存儲器業者，包括旺宏、華邦、力晶、瑞晶、南亞科、華亞科、茂德等。

　　由于考量到聯盟組織最后易淪為口號，且大部分業者不愿將最頂尖技術貢獻到臺面上，因此，未來此聯盟將設計多種模式，鼓勵業者及各方研究菁英加入，象是繳交權利金換取專利使用權、技術合作等，未來目標是仿效IBM華生研究中心 (Thomas J. Watson Research Center)，專門培育半導體人才。

　　NDL強調，學界主要專注于研發和布局累積專利數量，未來要導入量產仍是要靠業界，目前9納米產品雛形已具備，但要導入8寸或12寸晶圓廠才是挑戰開始，目標是希望5~10年內可進入量產，讓臺灣正式加入NAND Flash產業戰局。