臺系DRAM廠力晶宣布2011年的資本支出為新臺幣160億元，較2010年的資本支出200億元減少約20%;此外，之前被主管機關退件的上限8億股的海外存托憑證(GDR)申請案也將重新啟動;再者，力晶亦宣布將出售部分機臺設備給設備商，再用「售后租回」方式使用，以達活用資產的目的。

　　力晶日前決定再度啟動募資計劃，以籌措資金購買浸潤式曝光機臺(Immersion Scanner)機器設備，轉進45納米制程技術，之前提出發行上限8億股GDR遭到主管機關退件，力晶召開董事會決定重新提出申請，額度同樣維持上限8億股。

　　力晶也宣布，將部分晶圓廠的機臺設備賣給設備商，再用「售后租回」的方式，以達到資產活用的目標，增加手上的現金水位。

　　在2011年的資本支出方面，力晶宣布將較2010年的資本支出200億元減少20%左右，約160億元，主要用于將旗下12寸晶圓廠轉進45納米制程技術。

　　力晶自結第3季財報出爐，在不加計轉投資瑞晶的財報中，單季營收為250.24億元，毛利率17.35%，營業凈利率12.89%，稅前獲利22.91億元、稅后獲利19.36億元，換算每股稅后0.34元。

　　以前3季獲利來看，力晶累計稅后獲利達122.39億元，換算前3季每股獲利為2.22元。

　　在12寸晶圓廠方面，目前單月產能為13萬片，分為標準型存儲器和代工2大業務，標準型存儲器生產占8萬片產能，代工產能占5萬片，隨著DRAM報價下滑，力晶會逐漸增加代工比重。