作為中國本土最大的芯片制造商，中芯國際的技術動向無疑是業界的焦點。中芯國際已走過10個年頭，9月16日舉辦的的技術研討會恰逢其成立10周年，新領導班子的集體亮相、最新技術路線圖的發布、研發進展狀況等，成為了此次研討會的最大亮點。

　　中芯國際最新技術路線圖發布

　　“中芯國際對于技術的發展投入不遺余力，這也是我們能夠在中國半導體業界得以領先的最重要原因。”中芯國際COO Simon Yang博士說，“今年年底我們將結束55nm的研發，本月底40nm的研發將freeze，32nm的設備PO已發出，研發也已于今年5月啟動。”中芯國際中短期的技術路線圖見表1。

　　“截至2010年8月底，中芯國際的專利共4060件。雖然與國際先進公司還有差距，但是在國內已遙遙領先。我們的45/40nm光罩完全由中芯國際自己的光罩廠制造，充分證明了中芯國際在芯片制造領域的實力。”Simon Yang博士坦言。

　　中芯國際2000年由上海起步，經過10年的發展，已在中國大陸“遍地開花”，200mm及300mm生產線均已有5條(包括已建成的深圳300mm生產線)。各生產線的產能規劃也在此次研討會公布(見表2)。

　　32nm研發加速

　　“毫無疑問，Intel是芯片制造技術的領先者，最先進的技術往往由Intel發布。作為代工廠，中芯國際的65/60nm技術大約比其晚4年，但是從45/40nm開始，我們的研發已經加速，32nm技術只落后2年左右。預計在2013年3月，我們的32nm就將進行產品驗證。” Simon Yang博士說。

　　周梅生博士從工藝角度對中芯國際的技術進行了解析。“在柵極部分，32nm將會采用高K金屬柵工藝，以此取代以往的Poly/SION，這是亮點，當然也是難點所在，中芯國際將會采用的是Gate Last技術;在關鍵的光刻部分，依然是采用現在主流的浸入式光刻;應變硅部分會采用SMT和SiGe。

　　季明華博士重點介紹了邏輯和SOC技術。“中芯國際的45nm LL(Low Leakage)和GP(Generic with High Performance)來自IBM，在此基礎上形成了中芯國際的45nm LL和GP技術，再進一步經過縮小，即有了40nm LL和GP。40LL將在本月底freeze，隨后會經過3-6個月的認證。從技術層面看，SoC技術它以超深亞微米VDSM(Very Deep Submicron)工藝和知識產權IP為支撐，是集成電路發展的必然趨勢和主流，也是中芯國際未來的重點之一。

　　對于芯片制造來說，只有市場的領導者才能實現盈利，后來者就只能通過價格競爭來取得市場份額。32nm芯片的研發費用已高達$100milion，但中芯國際32nm加速發展，22nm也已提上日程。無論是產業布局，還是技術發展進度，中芯國際都已成為中國芯片制造業的標桿。