Panasonic 電工PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的概要
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“PhotoMOS”的特點:
本文引用地址：http://www.j9360.com/article/111652.htm“PhotoMOS”兼具了EMR(有觸點的機械繼電器)以及SSD(可控硅輸出光電耦合器)兩者的功能，具有以下特點。
- 可對微小的模擬信號進行控制(參照圖4)
晶閘管或光電耦合器及一般的SSD，不能控制數百mV以下的信號，但PhotoMOS閉路時的偏置電壓極低，因此，即使是對微小電壓信號或模擬信號也可進行不變形的控制。
- 電路構成簡單，因此可實現電路板的小型化以及設計的簡便化
可將發光元件、光電元件、功率MOSFET集中到一個封裝中，而且MOSFET的電路門極也在封裝中，因此具有較強的抗干擾或抗靜電能力。此外，內置具有自身發電功能的光電元件，所以不需要外部電源來驅動功率MOSFET。
- 可實現小輸入信號控制大負載(參照表1)
與光電耦合器相比，因增幅率較大，所以可實現EMR所不具備的高靈敏度。
- 開路時的漏電流極(參照圖5)
一般的SSD開路時的漏電電流大到數mA，但PhotoMOS即使施加負載電壓400V時，其漏出電流也僅有1μA以下。
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