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英飛凌與飛兆半導體達成功率MOSFET兼容協議

作者: 時間:2010-04-27 來源:電子產品世界 收藏

  科技股份公司與公司近日宣布,兩家公司就采用Power Stage 3x3和MLP 3x3 (Power33™)封裝的功率達成封裝合作伙伴協議。

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/108422.htm

  兼容協議旨在保證供貨穩定性,同時滿足對同級最佳的DC-DC轉換效率和熱性能的需求。這項協議利用了兩家企業的專業技術,為3A至20A的DC-DC應用提供非對稱、雙和單MOSFET。

  低壓MOSFET產品總監兼產品線經理Richard Kuncic表示:“我們的客戶將從功率產品封裝標準化中獲益,因為我們減少了市場上‘獨特’封裝的數量,同時還能提供比上代產品外形更小但性能提升的解決方案。”

  低壓產品高級副總裁John Bendel指出:“實現了封裝引腳的標準化,并在性能水平方面相輔相成,為滿足客戶在計算、電信和服務器市場的高效設計需求提供了雙重來源。封裝標準化旨在為客戶提供采用多來源行業標準封裝的性能領先產品。”



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