IR 推出新型25V DirectFET 芯片組
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國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組，為 12V 輸入同步降壓應用 (包括服務器、臺式電腦和筆記本電腦) 提供最佳效率。
本文引用地址：http://www.j9360.com/article/107957.htmIRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片組不但采用了 IR 最新一代 MOSFET 硅技術，還具有業界領先的性能指數 (FOM) 及 DirectFET 封裝卓越的開關和熱特性，成為一個為高頻率 DC-DC 開關應用而優化的解決方案。
IR 亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：“IR 通過改善關鍵參數不斷提升功率 MOSFET 的性能。新款 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET 芯片組把低電荷及低導通電阻 (RDS(on)) 與業界最低的柵極電阻 (Rg) 相結合，使傳統上由典型同步降壓轉換器的同步和控制接口產生的傳導損耗和開關損耗降到了最低。”
IRF6798MPbF 的中罐 DirectFET 封裝提供低于1 m? 的導通電阻，使整個負載范圍可保持極高的效率。新器件配有單片集成式肖特基二極管，能夠減少與體二極管傳導相關的損耗，并能實現反向恢復損耗，進一步提高解決方案的整體性能。IRF6798MPbF 還提供僅為 0.25 m? 的極低柵極電阻，避免了與 Cdv/dt 相關的擊穿。
IRF6706S2PbF 小罐 DirectFET 也具備低電荷和低導通電阻，可減少開關損耗及傳導損耗，還可為快速開關提供極低的柵極電阻。
產品基本規格
|
器件編號 |
BVDSS (V) |
10V 下的典型導通電阻(m?) |
4.5V 下的典型導通電阻 (m?) |
VGS (V) |
TA 為 25ºC時的 ID (A) |
典型QG (nC) |
典型QGD (nC) |
外形代碼 |
|
IRF6798MPBF |
25 |
0.915 |
1.6 |
+/-20 |
37 |
50 |
16 |
MX |
|
IRF6706S2PBF |
25 |
3.2 |
5.3 |
+/-20 |
17 |
12 |
4.2 |
S1 |
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