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4G模組SIM卡電路很簡單,但也要注意這些坑

發布人:13673998452 時間:2025-01-27 來源:工程師 發布文章

本篇文章我們主要講SIM卡硬件電路相關的基礎知識,以及常見的一些坑。

我們4G-Cat.1模組經典型號Air780E為例進行說明。

Air780E最新資料下載:
www.air780e.cn

 

一、先說說SIM卡信號

 

基礎的SIM卡相關信號有4個:

 

  • USIM_VDD:SIM卡供電電源;

  • USIM_RST:SIM卡復位信號;

  • USIM_DAT:SIM卡數據信號;

  • USIM_CLK:SIM卡時鐘信號。

 

管腳定義及參考電路如下:

 


 

除了以上4個基礎信號外,還有兩個信號大家經常會遇到:

 

  • USIM_VPP:SIM卡編程電源;

  • USIM_DET:SIM卡插入監測。

 

對于USIM_VPP,大家經常會的疑問是:
——我需要接嗎?懸空可以嗎?

答案是:
——跟USIM_VCC短接在一起也可以,懸空也可以,對于大家所使用的SIM卡來說,這個信號就是個擺設。


模組推薦大家直接懸空,你看我們的手冊都沒介紹這個信號.......

 

對于USIM_DET,則跟另外兩件事息息相關:

一是你家的模組支持熱插拔嗎?

二是你家的模組支持雙卡單待或者雙卡雙待嗎?

我們先看下Air780E硬件手冊上對于USIM_DET的定義:

 

所謂熱插拔:

就是模塊在開機狀態下插入SIM卡,模組軟件可以檢測到這一事件,并且重新開啟SIM卡初始化流程。

 

知識點:

 

  • SIM卡檢測流程默認只在開機時開啟,確認無卡后不會再執行SIM卡初始化流程;

  • USIM_DET相當于告訴模組,SIM卡插進來了,我通知你了,你再執行一次初始化流程吧。

 

參考電路如下:

 

需要說明的是:

 

  • USIM_DET為上下邊沿電平觸發中斷,觸發系統進行SIM1通道的卡在位檢測(熱插拔檢測);

注意:是SIM1通道,不是SIM2通道。SIM2不支持插入檢測(接下來我們再介紹SIM2通道相關的知識)。

 

  • 從上圖可以看出,USIM_DET上拉到AGPIO3(一直輸出高電平),卡未插入時為高,插入后為低;

 

  • 為什么上拉到AGPIO3,而不是常見的VDD_EXT電源?說來話長,簡單說就是AGPIO3可以保證模組在開機后任何狀態下都輸出為高,而VDD_EXT則為了省電在模組休眠狀態下會間歇性關閉;

 

  • 我們的文檔當前做的還真是一言難盡,明明信號定義是USIM_DET,參考原理圖卻寫成USIM_CD......

 

  • 文檔問題我們已經注意到了,是當下重點中的重點,請給我們一點點時間,一定會做好!!!

 

 

二、關于雙卡單待

 

大部分模組型號,都可以支持雙卡單待,比如Air780E。

 

關于雙卡單待,你需要知道的是:

 

  • 雙卡單待,顧名思義就是只能一路SIM卡在工作——要么是SIM1,要么是SIM2,無法像我們的手機那樣可以兩張SIM卡同時工作;

 

  • 支持通過AT指令來指定選用哪一路SIM卡,大家感興趣可以看一下合宙AT指令手冊;

 

  • 模塊開機會默認檢測SIM1通道,在SIM1通道檢測到SIM卡不在位的情況下才會去檢測SIM2通道;

 

  • 再次強調!USIM_DET僅支持SIM1通道,不支持SIM2通道。

因此:對于有內置貼片SIM卡的雙卡應用場景,建議將貼片SIM卡置于SIM2通道,外置插拔SIM卡座置于SIM1通道,以實現優先使用外置插拔SIM卡的效果;

 

  • SIM2的參考電路跟SIM1一樣,沒有區別(不考慮USIM_DET的話)。

 

三、還需注意哪些事項

 

除了以上介紹的這些,還有哪些需要注意的呢?

 

1. 關于PCB走線:

 

  • SIM卡座布局盡量靠近模組SIM接口,走線過長會影響信號質量,也容易受到其它高頻信號干擾;

 

  • USIM_CLK和USIM_DATA走線應包地處理以屏蔽干擾,并遠離射頻走線和電源走線。

 

2. 關于電路處理:

 

  • USIM_VDD并聯33pF和1uF電容到地,如果SIM_VDD走線過長,必要時也可增加一個4.7uF電容;

 

  • USIM_CLK、USIM_DATA和USIM_RST并聯33pF電容到地,防止射頻信號干擾;

 

  • 因模組設計差異,合宙有的模組型號內部USIM_DATA已上拉至USIM_VDD,有的模組型號則內部沒有這樣處理,您選用的模組若內部沒做USIM_DAT上拉,建議USIM_DAT通過10KΩ電阻上拉到USIM_VDD,增加USIM_DAT驅動能力;

 

  • 建議在SIM卡座附近設計ESD保護,選擇最大反向工作電壓為5V的TVS管,寄生電容小于10pF,布局位置盡量靠近卡座引腳;

 

  • USIM_DTA、USIM_CLK、USIM_RST三個信號線建議預留端接電阻22Ω可抑制EMI雜散傳輸。

 

 

四、常見避坑指南要點

 

接下來,重點介紹兩點最常見的避坑指南!

 

1. 電容、電阻、TVS管參數選取不當,導致讀卡不良:

 

  • 通常來說,在考慮電容、電阻、TVS管等參數時,需重點關注以下三個問題:

 

  • 電容容值不宜選取過大,過大會導致無法過濾來自射頻干擾、SIM卡信號波形變緩,甚至致讀卡失敗;

 

  • 端接電阻值不宜過大,過大會導致信號驅動能力下降及波形異常;

 

  • TVS管寄生電容不宜過大,過大會導致波形變緩,讀卡失敗。

PS:這下你知道各大模組公司的FAE在面對你的SIM卡技術問題時,通常會讓你把這些元器件都拿掉試試的原因了吧?

 

2. SIM卡檢測引腳邏輯錯誤,導致讀卡不

 

在使用SIM卡檢測引腳時,客戶有時會誤用和模組檢測邏輯相反的卡座,導致SIM卡檢測功能異常,或者未將USIM_DET上拉至AGPIO3,導致SIM卡無法檢測;

因此,用戶在選擇SIM卡座時,需注意檢測引腳是否與模組檢測邏輯相同,模組是用USIM_DET用高電平表示拔出、低電平表示插入,切勿弄反了檢測邏輯。

 


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