據報道，臺積電宣布已開始利用其InFO_SoW（晶圓上集成扇出硅）技術生產特斯拉Dojo AI訓練模塊，旨在到2027年通過更復雜的晶圓級系統將計算能力提高40倍。

此前有消息顯示，特斯拉超級計算機自制芯片Dojo采用臺積電7nm制程，作為臺積電首款 InFO_SoW 產品，將提供高速運算定制化需求，且不需要額外PCB載板，就能將相關芯片集成散熱模塊，加速生產流程。

根據臺積電公布的資料顯示，InFO_SoW相比于采用倒裝芯片（Flip Chip）技術的Multi-chip-module（MCM），在線密度、帶寬密度方面等多個方面都有明顯的優勢。根據臺積電的說法，它可以將帶寬密度提高2倍，阻抗降低97％，同時將互連功耗降低15％。

至此，臺積電首款SoW產品采用以邏輯芯片為主的集成型扇出（InFO）技術，現已投入生產。另一款采用CoWoS技術的芯片堆疊版本，預計于2027年問世，可整合SoIC、HBM及其他零部件，打造一個強大且運算能力媲美資料中心伺服器機架，或甚至整臺服務器的晶圓級系統。

InFO_SoW技術

InFO_SoW（整合型扇出晶圓級系統封裝）是“InFO”技術應用于高性能計算機的一種改良模式，也是一種晶圓級（Wafer Scale）的超大型封裝技術，主要包括晶圓狀的放熱模組（Plate）、硅芯片（Silicon Die）群、InFO RDL、電源模組、連接器等部分。

InFO_SoW 本身作為載體，消除了基板和 PCB 的使用。緊湊系統內緊密封裝的多個芯片陣列使該解決方案能夠獲得晶圓級優勢，例如低延遲芯片間通信、高帶寬密度和低 PDN 阻抗，從而實現更高的計算性能和功效。除了異構芯片集成之外，其晶圓現場處理能力還支持基于小芯片的設計，從而實現更大的成本節約和設計靈活性。

InFO_SoW 在模組（尺寸和晶圓大小相近）上橫向排列多個硅芯片（Silicon Die，或者 Chip），再通過“InFO”結構使芯片和輸入 / 輸出端子相互連接，從而區別于堆疊了兩個“InFO”的“InFO_SoIS（System on Integrated Substrate）”技術。

一般來說，InFO_SoW 技術生產的芯片面積較大，它可以將大規模系統（由大量的硅芯片組成）集成于直徑為 300mm 左右的圓板狀模組（晶圓狀的模組）上；而通過采用 InFO 技術，它又可以獲得相比傳統的模組相更小型、更高密度的集成系統。

在臺積電之前公布的資料中，InFO_SoW 相比于采用倒裝芯片（Flip Chip）技術的 Multi-chip-module（MCM）和“InFO_SoW”更有優勢。經查詢發現，與 MCM 相比，其相互連接的排線寬度、間隔縮短了二分之一，排線密度提高了兩倍。此外，其單位面積的數據傳輸速度也提高了兩倍；電源供給網絡（PDN）的阻抗（Impedance）明顯低于 MCM，僅為 MCM 的 3%。