就在當前成熟制程有產能過剩疑慮，使得各家以成熟制程為主的晶圓代工廠，開始發展利基型產品，以突圍出自己的一片天空之際，晶圓代工大廠聯電宣布，推出業界首項RFSOI制程技術的3D IC解決方案，此55納米 RFSOI 制程平臺上所使用的硅堆疊技術，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小45% 以上，使客戶能夠有效率地集成更多射帶組件，以滿足5G更大的帶寬需求。

聯電指出，RFSOI是用于低噪聲放大器、開關和天線調諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機對頻段數量需求的不斷成長，聯電的 RFSOI 3D IC 解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術，并解決了芯片堆疊時常見的射頻干擾問題，將裝置中傳輸和接收數據的關鍵組件，通過垂直堆棧芯片來減少面積，以解決在設備中為整合更多射頻前端模塊帶來的挑戰。該制程已獲得多項國際專利，準備投入量產。

聯電技術開發處執行處長馬瑞吉（Raj Verma）表示，聯電領先業界以創新射頻前端模組的3D IC技術，為客戶打造最先進的解決方案。這項突破性技術不僅解決了 5G/6G 智能手機頻段需求增加所帶來的挑戰，更有助于在移動、物聯網和虛擬現實的設備中，通過同時容納更多頻段來實現更快的數據傳輸。未來我們將持續開發如 5G 毫米波芯片堆疊技術的解決方案，以滿足客戶對射頻芯片的需求。

聯電強調，擁有業界最完整的射頻前端模組芯片解決方案，提供包括移動設備、Wi-Fi、汽車、物聯網和衛星通訊等廣泛應用的需求。RFSOI解決方案系列從130到40納米的制程技術，以8吋和12寸晶圓生產，目前已完成超500個產品設計定案，出貨量更高達380多億顆。除了RFSOI技術外，聯電的6寸晶圓廠聯穎光電還提供化合物半導體砷化鎵（GaAs）和氮化鎵（GaN），以及射頻濾波器（RF filters）技術，可充分滿足市場對射頻前端模組應用的各種需求。

來源：technews(臺)

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