內容概覽

Preview

4月23日，“新能源 芯時代” CIAS2024功率半導體新能源創新發展大會在蘇州獅山國際會議中心舉行，南瑞半導體公司攜多款功率半導體產品精彩亮相。在同期舉辦的CIAS2024金翎獎頒獎晚宴上，南瑞半導體以首位排名榮獲能源電子應用領域最具創新力產品獎。

公司介紹

Company Profile

南京南瑞半導體有限公司成立于2019年，總部位于江蘇省南京市，致力于功率半導體技術研究、產品研發、生產制造、市場推廣、技術服務等產業化發展，實現能源領域核心功率半導體器件自主可控，保障國家能源安全。公司匯聚了國內外一流的功率半導體研發及管理團隊，可提供從芯片 設計、流片工藝開發、封裝測試、器件應用到電力電子技術服務的全鏈條解決方案。產品已廣泛應用于高壓柔性輸電、電能質量治理、特種電源、工 業傳動、風力發電、光伏發電、新型儲能、制氫電源、充電設施和新能源汽車等領域。同時公司也是國家電網有限公司戰略新興產業培育重點單位、 首批入選國資委“科改示范”企業之一和國網功率半導體產業統一平臺。

焦點新聞

News

本次展會，南瑞半導體展出產品涵蓋光伏、儲能、充電樁、新能源汽車等多個應用場景，包括A3系列1200V/450A I型三電平IGBT模塊、1200V/13mΩ SiC MOS芯片、1200V/2mΩ車規級SiC MOS模塊。

A3系列IGBT模塊作為CIAS金翎獎“最具創新力產品獎”在展會現場獲得了觀眾的高度關注。A3系列1200V/450A I型三電平IGBT模塊適用于215kw及以上機型儲能變流器、光伏逆變器等應用，在提升產品性能的前提下極大提升儲能場景的經濟效益，更好滿足儲能產業不斷涌現的新市場需求。產品滿足1500V系統需求，滿足組串式PCS應用工況條件下額定效率≥98%,最大效率≥99%要求，同時滿足結溫要求；系統無需器件并聯，相當于3只Flow2或者2只Easy3B。模塊尺寸僅比Flow2增加60%，僅比Easy3B增加20%，四孔安裝，A3安裝可靠性比競品更牢靠，底面與散熱器接觸更緊密，長期使用更可靠；芯片滿足≥16kHz高頻開關特性，FRD滿額配置；模塊總損耗低，滿足2倍電流關斷能力；封裝上采用高導熱材料，降低熱阻，采用高性能覆銅陶瓷基板，高溫可靠性更好、抗熱震性優異。提升整體散熱能力；功率密度相較同行提升80%以上，擁有更節約的綜合使用成本。

（南瑞半導體A3系列模塊）

（A3系列模塊拓撲）

本次展會中，南瑞半導體還針對純電或混動汽車、馬達驅動等應用場景首次展出了M1、D3封裝的1200V 2mΩ車規級SiC MOSFET模塊，D2封裝的750V/820A車規級IGBT模塊。南瑞半導體M1系列采用塑封半橋模塊封裝，充分發揮SiC MOSFET芯片的高耐溫、高頻率和高耐壓等優勢，芯片下方采用有壓型銀燒結，芯片正面配合 DTS 銀燒結+銅線鍵合、塑封轉模等關鍵技術，實現了更均勻的電流密度分布，更高的功率循環壽命，熱容熱阻和雜散電感等方面表現更好，相比傳統HPD模塊的雜散電感高達12 nH，而南瑞半導體M1系列半橋模塊僅為3-4 nH，相較之下雜散電感下降了75%左右，可靠性更佳。

產品介紹

Product introduction

(南瑞半導體車規級模塊M1)

(車規級模塊M1拓撲)

M1系列模塊特性：

1. 第三代寬禁帶半導體-SiC；

2. 采用單面水冷+塑封工藝，最高工作結溫175℃；

3. 高性能 Si3N4 AMB 基板；

4. 雜散電感低，功率密度高，適用高溫、高頻應用，超低損耗；

5. 集成NTC溫度傳感器，易于系統集成。

（南瑞半導體車規系列模塊D3：NCM02F12D3A )

（車規系列模塊D3：NCM02F12D3A拓撲）

D3：NCM02F12D3A產品特性：

1. 第三代寬禁帶半導體 - 碳化硅；

2. 低漏-源通態電阻；

3. 低開關損耗；

4. 銀燒結工藝。

（南瑞半導體車規系列模塊D2：NI820F08D2A)

（車規系列模塊D2：NI820F08D2A)

D2：NI820F08D2A產品特性：

1.高密度功率；

2.低飽和壓降；

3.低開關損耗；

4.低電感設計。

主營業務

Introduction to Main Business

1.芯片業務

IGBT/FRD芯片設計及供應

（6500V/4500V/3300V/1700V/1200V/750V/650V）

SiC MOSFET/SBD芯片設計及供應

（3300V/1700V/1200V）

2.分立器件業務

IGBT/FRD分立器件設計及供應

(3300V/1700V/1200V/750V/650V)

SiC MOSFET/SBD分立器件設計及供應

(3300V/1700V/1200V)

3.工業級模塊業務

工業級IGBT/FRD模塊設計及供應

(6500V/4500V/3300V/1700V/1200V/650V)

工業級SiC MOSFET模塊設計及供應

(3300V/1700V/1200V)

4.車規級模塊業務

車規級IGBT模塊設計及供應

(1700V/1200V/750V/650V)

車規級SiC MOSFET模塊設計及供應

(1700V/1200V)

5.平臺服務

IGBT/FRD/SiC模塊封裝測試業務

(6500V/4500V/3300V/1700V/1200V/650V)

功率半導體器件檢測業務

性能測試、可靠性測試、失效分析測試、應用測試， 可提供產品及器件缺陷分析、專業技術人員培訓、 產品標準和方法標準制訂等項目服務。

定制化開發

從應用需求及可靠性出發，針對具體場景對產品進行優化設計，功率半導體器件熱仿真業務，匹配客戶整體方案。

聯系方式

周經理：18115130736
沈經理：18068841299