在晶圓制造前道過程的不同工藝階段點，往往需要對wafer進行厚度（THK）、翹曲度（Warp）、膜厚、關鍵尺寸（CD）、套刻（Overlay）精度等量測，以及缺陷檢測等；用于檢測每一步工藝后wafer加工參數是否達到設計標準，以及缺陷閾值下限，從而進行工藝控制與良率管理。半導體前道量檢測設備，要求精度高、效率高、重復性好，量檢測設備一般會涉及光電探測、精密機械、電子與計算機技術，因此在半導體設備中，技術難度高。

在wafer基材加工階段，從第一代硅，第二代砷化鎵到第三代也是現階段熱門的碳化硅、氮化鎵襯底都是通過晶錠切片、研磨、拋光后獲得，每片襯底在各工藝后及出廠前，都要對厚度、翹曲度、彎曲度、粗糙度等幾何形貌參數進行系統量測，需要相應的幾何形貌量測設備。

下圖為國內某頭部碳化硅企業產品規范，無論是production wafer，research wafer，還是dummy wafer，出廠前均要對幾何形貌參數進行量測，以保證同批、不同批次產品的一致性、穩定性，也能防止后序工藝由于wafer warpage過大，產生碎片、裂片的情況。

WD4000系列無圖晶圓幾何量測系統，適用于線切、研磨、拋光工藝后，進行wafer厚度（THK）、整體厚度變化（TTV）、翹曲度（Warp）、彎曲度（Bow）等相關幾何形貌數據測量，能夠提供Thickness map、LTV map、Top map、Bottom map等幾何形貌圖及系列參數，有效監測wafer形貌分布變化，從而及時管控與調整生產設備的工藝參數，確保wafer生產穩定且高效。