集成電路領域高速發展，對芯片制造工藝提出了更具挑戰的要求，其中就包括如何用絕緣介質在各個薄膜層[1]之間進行均勻無孔的填充，以提供充分有效的隔離保護。為了滿足以上需求，HDPCVD設備已經成為介質薄膜沉積工藝的重要設備。

包括淺槽隔離（Shallow-Trench-Isolation，STI），金屬前絕緣層（Pre-Metal-Dielectric，PMD），金屬層間絕緣層（Inter-Metal-Dielectric，IMD）等。

Orion Proxima作為北方華創推出的國產自研高密度等離子體化學氣相沉積設備，主要應用于12英寸集成電路芯片的淺溝槽絕緣介質填充工藝。此款設備通過沉積-刻蝕-沉積的工藝方式可以有效完成對高深寬比溝槽間隔的絕緣介質填充，借助北方華創在刻蝕技術上的積累，發揮其高沉積速率、優異的填孔能力和低溫下進行反應得到高致密的介質薄膜的優勢，獲得多家業內客戶關注。

正如北方華創一直秉承“以客戶為中心”的企業核心價值觀，華創人始終以務實的精神堅持“急客戶之所急、想客戶之所想”作為技術創新永續驅動力。現階段，Orion Proxima技術性能在迭代升級中已達業界先進水平：通過靈活可控的軟件系統調度優化與自主研發特有傳輸平臺的結合，助力客戶實現產能的大幅提升，取得雙贏；通過提供不同的硬件配置方案，滿足了包括填孔能力、膜層質量、顆粒控制等工藝需求的同時，更實現了對邏輯、存儲及其他特色工藝領域客戶的全覆蓋。

在創新中突破、在專業中精進，Orion Proxima HDPCVD通過優化機臺結構，縮小了整機占地面積，節省了客戶空間運營成本；通過優化排氣管路設計，提高了清洗效率；通過優化開蓋方式，縮減了人力維護開支，提高了設備生產效率。

北方華創正基于20余年沉積工藝技術的深厚積累，全面布局多類薄膜產品，致力于為客戶提供全面的薄膜產品解決方案。

來源：半導體產業聯盟