臺積電1.4nm,有了新進展
臺積電2納米以下廠區,日前在退出龍潭科學園區三期擴大計畫后,各縣市正極力爭取。如今傳出,原先預計要給臺積電使用的中科二期,可能性最高,且預定明年6月交地。行政院長陳建仁上周五(27日)表示,尊重臺積電的用地選擇,讓護島神山得到政府跟地方的合作,是大家共同的意旨跟努力方向。
行政院日前召開半導體重要議題會議,討論臺積電退出龍潭廠的后續處置,因經濟部與國科會評估,臺灣半導體產業或科技廠未來設廠需求強勁,對用地需求也很大,龍科三期原規劃面積158.59公頃,臺積電雖不進駐,但未來園區仍會以半導體產業為主,國科會將持續推動龍科三期。
至于臺積電1.4納米廠落腳地點,官員透露,目前政府以中科二期做規劃,當初臺積電規劃在中科二期與龍科三期的開發有重疊,但現在選擇進駐中科二期。政府也將全力提供臺積電用水、用電、用地的相關協助,而國科會預計明年6月就能交地。
不過,官員強調,臺積電一期已在臺中市設置,一、二期加起來約用掉38%的電,也會用掉中市9%的用水量,1.4納米廠若要順利推動,還需臺中市府支持。官員澄清,中科二期擴建案都委會專案小組會議已獲致具體共識,只要補件即可進行后續程序,政府一定會滿足產業需求。
中國臺灣政府相關負責人表示,中科二期本來就在規劃中,確實為臺積電所用,后續如何規劃怎樣的相關制程會再確定,但相關用地需求是存在的,各地方政府也都大力表達歡迎之意。并指出,「我們都看得到臺積電在臺灣擴廠,對臺灣經濟和國家安全有戰略上的意義」。
臺積電將探索1.4納米技術
今年七月,臺積電全球研發中心啟用,董事長劉德音表示,研發團隊將更積極開發領導世界半導體業的技術,探索2納米、1.4納米及以下技術。
劉德音說,臺積電研發中心開幕,展現根留臺灣、持續推動半導體技術往前邁進,也驅動未來世界科技持續創新的決心。
劉德音表示,36年前,臺積電在臺灣這塊土地誕生,經過多年努力耕耘已成為業界領導者。臺積電的研發歷史要回溯到30多年前,1987年在工研院電子所設立研發。
他指出,臺積電1990年自建廠房后,研發團隊遷到臺積電晶圓2廠,1996年進入臺積電晶圓3廠,2003年進入臺積電晶圓12廠,幾乎是逐水草而居。
劉德音說,如今進入研發中心,將更積極開發領導世界半導體業的技術,探索2納米1.4納米及以下技術。他表示,研發中心于5年多前開始策劃,在設計、施工有很多巧思,有超高屋頂和可塑性工作空間。
劉德音強調,研發中心最重要的不是宏偉建筑,而是臺積電的研發傳統。30多年來,面對半導體技術不斷演進要求,臺積電秉持務實創新態度和精誠團結精神,持續創造高經濟價值技術,對社會和人類世界產生深遠影響。
劉德音期許臺積電研發文化能在研發中心更發揚光大,研發中心將是匯集全球不同領域研發人才共同釋放創新力量的地方。
他表示,研發團隊2003年遷入晶圓12廠時開發90納米,20年后遷入研發中心開發2納米,是90納米的1/45,要在研發中心至少待20年。
劉德音說,20年后的半導體元件大小如何,用什么材料,光、電運算如何整合,量子、數位運算如何共用,研發中心的研發人員將會給出答案,并找出大量生產的方法。
劉德音表示,研發中心啟用代表臺積電創新研發的傳統和決心,未來將持續攜手與臺積電開放創新平臺合作伙伴、客戶、供應商以及全球學術研究團隊,開發出更先進更有競爭力半導體技術,一起釋放創新的動能,為世界創造出更美好未來。
臺積電指出,研發中心于2020年7月動土,為地上10層、地下7層建筑,樓地板總面積30萬平方公尺,約等同于42座標準足球場,今年2月研發人員開始陸續進駐,截至七月約有2200名研發人員進駐,預計9月將有超過7000人進駐。
來源:電子匯
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